Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
On the basis of the theoretical model of a quantum well (QW) with infinitely high walls, we study the thermoelectric parameters depending on the thickness of the layer of nanostructures IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) in the approximation of changing Fermi energy. It is shown that the dependences of the See...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська Українська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131191653171200 |
|---|---|
| author | Freik, D. M. Yurchyshyn, I. K. Potyak, V. Yu. Chobaniuk, V. M. |
| author_facet | Freik, D. M. Yurchyshyn, I. K. Potyak, V. Yu. Chobaniuk, V. M. |
| author_sort | Freik, D. M. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-03-29T08:40:35Z |
| description | On the basis of the theoretical model of a quantum well (QW) with infinitely high walls, we study the thermoelectric parameters depending on the thickness of the layer of nanostructures IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) in the approximation of changing Fermi energy. It is shown that the dependences of the Seebeck coefficient, electrical conductivity, and thermoelectric power factor on the well width for nanofilms of lead chalcogenides are in good agreement with the experimental data. This proves the correctness of the used model. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe59.02.0167 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:14:42Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018426 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:14:42Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20184262019-03-29T08:40:35Z Quantum-Size Oscillation Effects of Thermoelectric Parameters in Lead Chalcogenides Nanostructures Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю Freik, D. M. Yurchyshyn, I. K. Potyak, V. Yu. Chobaniuk, V. M. lead chalcogenides nanostructures quantum-size effects халькогенiди свинцю наноструктури квантово-розмiрнi ефекти On the basis of the theoretical model of a quantum well (QW) with infinitely high walls, we study the thermoelectric parameters depending on the thickness of the layer of nanostructures IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) in the approximation of changing Fermi energy. It is shown that the dependences of the Seebeck coefficient, electrical conductivity, and thermoelectric power factor on the well width for nanofilms of lead chalcogenides are in good agreement with the experimental data. This proves the correctness of the used model. На основi теоретичної моделi квантової ями (КЯ) з нескiнченно високими стiнками було дослiджено термоелектричнi параметри залежно вiд товщини шару наноструктур IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) в наближеннi змiнної енергiї Фермi. Було показано, що залежностi коефiцiєнта Зеєбека, електропровiдностi i термоелектричного коефiцiєнта потужностi вiд ширини ями для наноплiвок халькогенiдiв свинцю добре узгоджуються з експериментальними даними, що доводить коректнiсть використаної моделi. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-18 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426 10.15407/ujpe59.02.0167 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 2 (2014); 167 Український фізичний журнал; Том 59 № 2 (2014); 167 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426/429 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426/430 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | халькогенiди свинцю наноструктури квантово-розмiрнi ефекти Freik, D. M. Yurchyshyn, I. K. Potyak, V. Yu. Chobaniuk, V. M. Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю |
| title | Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю |
| title_alt | Quantum-Size Oscillation Effects of Thermoelectric Parameters in Lead Chalcogenides Nanostructures |
| title_full | Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю |
| title_fullStr | Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю |
| title_full_unstemmed | Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю |
| title_short | Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю |
| title_sort | квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю |
| topic | халькогенiди свинцю наноструктури квантово-розмiрнi ефекти |
| topic_facet | lead chalcogenides nanostructures quantum-size effects халькогенiди свинцю наноструктури квантово-розмiрнi ефекти |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426 |
| work_keys_str_mv | AT freikdm quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures AT yurchyshynik quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures AT potyakvyu quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures AT chobaniukvm quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures AT freikdm kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû AT yurchyshynik kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû AT potyakvyu kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû AT chobaniukvm kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû |