Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю

On the basis of the theoretical model of a quantum well (QW) with infinitely high walls, we study the thermoelectric parameters depending on the thickness of the layer of nanostructures IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) in the approximation of changing Fermi energy. It is shown that the dependences of the See...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Freik, D. M., Yurchyshyn, I. K., Potyak, V. Yu., Chobaniuk, V. M.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018426
record_format ojs
spelling ujp2-article-20184262019-03-29T08:40:35Z Quantum-Size Oscillation Effects of Thermoelectric Parameters in Lead Chalcogenides Nanostructures Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю Freik, D. M. Yurchyshyn, I. K. Potyak, V. Yu. Chobaniuk, V. M. lead chalcogenides nanostructures quantum-size effects халькогенiди свинцю наноструктури квантово-розмiрнi ефекти On the basis of the theoretical model of a quantum well (QW) with infinitely high walls, we study the thermoelectric parameters depending on the thickness of the layer of nanostructures IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) in the approximation of changing Fermi energy. It is shown that the dependences of the Seebeck coefficient, electrical conductivity, and thermoelectric power factor on the well width for nanofilms of lead chalcogenides are in good agreement with the experimental data. This proves the correctness of the used model. На основi теоретичної моделi квантової ями (КЯ) з нескiнченно високими стiнками було дослiджено термоелектричнi параметри залежно вiд товщини шару наноструктур IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) в наближеннi змiнної енергiї Фермi. Було показано, що залежностi коефiцiєнта Зеєбека, електропровiдностi i термоелектричного коефiцiєнта потужностi вiд ширини ями для наноплiвок халькогенiдiв свинцю добре узгоджуються з експериментальними даними, що доводить коректнiсть використаної моделi. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-18 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426 10.15407/ujpe59.02.0167 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 2 (2014); 167 Український фізичний журнал; Том 59 № 2 (2014); 167 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426/429 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426/430 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2019-03-29T08:40:35Z
collection OJS
language English
Ukrainian
topic халькогенiди свинцю
наноструктури
квантово-розмiрнi ефекти
spellingShingle халькогенiди свинцю
наноструктури
квантово-розмiрнi ефекти
Freik, D. M.
Yurchyshyn, I. K.
Potyak, V. Yu.
Chobaniuk, V. M.
Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
topic_facet lead chalcogenides
nanostructures
quantum-size effects
халькогенiди свинцю
наноструктури
квантово-розмiрнi ефекти
format Article
author Freik, D. M.
Yurchyshyn, I. K.
Potyak, V. Yu.
Chobaniuk, V. M.
author_facet Freik, D. M.
Yurchyshyn, I. K.
Potyak, V. Yu.
Chobaniuk, V. M.
author_sort Freik, D. M.
title Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
title_short Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
title_full Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
title_fullStr Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
title_full_unstemmed Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
title_sort квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
title_alt Quantum-Size Oscillation Effects of Thermoelectric Parameters in Lead Chalcogenides Nanostructures
description On the basis of the theoretical model of a quantum well (QW) with infinitely high walls, we study the thermoelectric parameters depending on the thickness of the layer of nanostructures IV–VI (PbS, PbSe, PbTe) in the approximation of changing Fermi energy. It is shown that the dependences of the Seebeck coefficient, electrical conductivity, and thermoelectric power factor on the well width for nanofilms of lead chalcogenides are in good agreement with the experimental data. This proves the correctness of the used model.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018426
work_keys_str_mv AT freikdm quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures
AT yurchyshynik quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures
AT potyakvyu quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures
AT chobaniukvm quantumsizeoscillationeffectsofthermoelectricparametersinleadchalcogenidesnanostructures
AT freikdm kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû
AT yurchyshynik kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû
AT potyakvyu kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû
AT chobaniukvm kvantovorozmirnioscilâcijniefektitermoelektričnihparametrivunanostrukturahhalʹkogenidivsvincû
first_indexed 2025-10-02T01:14:42Z
last_indexed 2025-10-02T01:14:42Z
_version_ 1851765088424296448