Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену

Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену

Graphene has unique two-dimensional structure, high surface area, and remarkable chemical stability. Graphene oxide (GO) produced by the Hummers method was reduced to graphene by pulsed laser deposition (PLD). The graphene specimen in the form of a powder and a multilayere...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Elmeleegi, H. A., Elmandouh, Z. S., Taher, F.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:
structure
carrier type reversal
thermoelectric power
electrical conductivity
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018467
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018467
record_format ojs
spelling ujp2-article-20184672019-03-29T09:25:00Z Carrier Type Reversal of Graphene Multilayered Thin Films Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену Elmeleegi, H. A. Elmandouh, Z. S. Taher, F. structure carrier type reversal thermoelectric power electrical conductivity Graphene has unique two-dimensional structure, high surface area, and remarkable chemical stability. Graphene oxide (GO) produced by the Hummers method was reduced to graphene by pulsed laser deposition (PLD). The graphene specimen in the form of a powder and a multilayered structure is studied. X-ray diffraction of graphene is interpreted to elucidate its short-range order and to calculate the number of layers of graphene. Electron diffraction and transmission electron microscope studies elucidate the short-range order nature of deposited graphene. The temperature dependence of the Seebeck coefficient (S) indicates the carrier type reversal (CTR) from the n- to p-type, by starting from 60∘C. CTR is affected by the applied voltage, frequency, and temperature. Distinct oscillations in the Seebeck coefficient thickness dependence are observed and attributed to the size quantization effect in graphene layers. The velocity, mobility, and electrical conductivity are measured and calculated to complete the trans-port properties of graphene. Графен має унiкальну двовимiрну структуру, з великою площею поверхнi i значною хiмiчною стабiльнiстю. Окис графену, отриманий методом Хаммерса, було вiдновлено до графену iз застосуванням iмпульсного лазерного напилен-ня. Дослiджувалися зразки графену у виглядi порошку і багатошарової структури. Виконано рентгеноструктурний аналiз графену для з’ясування наявностi ближнього поряд-ку i визначення числа шарiв. Природа ближнього поряд-ку знайдена методами дифракцiї електронiв i просвiчую-чої електронної мiкроскопiї. Залежнiсть коефiцiєнта Зеє-бека вiд температури свiдчить про змiну типу носiїв з n-на p-тип, починаючи з 60∘C. Вивчено залежнiсть цiєї змi-ни вiд частоти, напруги i температури. Виявленi осциляцiї залежностi коефiцiєнта Зеєбека вiд товщини вiдповiдають ефекту розмiрного квантування в шарах графену. Вимiряно i розраховано такi транспортнi властивостi графену, як швидкiсть, рухливiсть i електрична провiднiсть. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018467 10.15407/ujpe59.04.0426 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 4 (2014); 426 Український фізичний журнал; Том 59 № 4 (2014); 426 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.04 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018467/472 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language English
topic structure
carrier type reversal
thermoelectric power
electrical conductivity
spellingShingle structure
carrier type reversal
thermoelectric power
electrical conductivity
Elmeleegi, H. A.
Elmandouh, Z. S.
Taher, F.
Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
topic_facet structure
carrier type reversal
thermoelectric power
electrical conductivity
format Article
author Elmeleegi, H. A.
Elmandouh, Z. S.
Taher, F.
author_facet Elmeleegi, H. A.
Elmandouh, Z. S.
Taher, F.
author_sort Elmeleegi, H. A.
title Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
title_short Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
title_full Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
title_fullStr Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
title_full_unstemmed Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
title_sort змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
title_alt Carrier Type Reversal of Graphene Multilayered Thin Films
description Graphene has unique two-dimensional structure, high surface area, and remarkable chemical stability. Graphene oxide (GO) produced by the Hummers method was reduced to graphene by pulsed laser deposition (PLD). The graphene specimen in the form of a powder and a multilayered structure is studied. X-ray diffraction of graphene is interpreted to elucidate its short-range order and to calculate the number of layers of graphene. Electron diffraction and transmission electron microscope studies elucidate the short-range order nature of deposited graphene. The temperature dependence of the Seebeck coefficient (S) indicates the carrier type reversal (CTR) from the n- to p-type, by starting from 60∘C. CTR is affected by the applied voltage, frequency, and temperature. Distinct oscillations in the Seebeck coefficient thickness dependence are observed and attributed to the size quantization effect in graphene layers. The velocity, mobility, and electrical conductivity are measured and calculated to complete the trans-port properties of graphene.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018467
work_keys_str_mv AT elmeleegiha carriertypereversalofgraphenemultilayeredthinfilms
AT elmandouhzs carriertypereversalofgraphenemultilayeredthinfilms
AT taherf carriertypereversalofgraphenemultilayeredthinfilms
AT elmeleegiha zminatipunosiívubagatošarovihtonkihplivkahgrafenu
AT elmandouhzs zminatipunosiívubagatošarovihtonkihplivkahgrafenu
AT taherf zminatipunosiívubagatošarovihtonkihplivkahgrafenu
first_indexed 2023-03-24T08:55:52Z
last_indexed 2023-03-24T08:55:52Z
_version_ 1795757624273141760

Схожі ресурси