Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв
Structure stability and “thermal” parameters of (100) cleavage surfaces of In4Se3 crystals have been studied using the low energy electron diffraction method. The structure of (100) cleavage surfaces of In4Se3 crystals is shown to be stable and not subjected to any reconstruction in a wide temperatu...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018489 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018489 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20184892019-03-29T09:56:07Z Low-Energy-Electron-Diffraction Structural Studies of (100) Cleavage Surfaces of In4Se3 Layered Crystals Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв Galiy, P. V. Losovyj, Ya. B. Nenchuk, T. M. Yarovets’, I. R. low energy electron diffraction layered crystals interlayer cleavage surfaces Debye temperature Debye–Waller factor anisotropy of thermal expansion дифракцiя повiльних електронiв шаруватi кристали мiжшаровi поверхнi сколювання температура Дебая фактор Дебая–Уоллера анiзотропiя теплового розширення Structure stability and “thermal” parameters of (100) cleavage surfaces of In4Se3 crystals have been studied using the low energy electron diffraction method. The structure of (100) cleavage surfaces of In4Se3 crystals is shown to be stable and not subjected to any reconstruction in a wide temperature interval of 77–295 K. The Debye temperature and the Debye–Waller factor of studied surfaces were calculated on the basis of experimental data obtained for the temperature dependence of the intensities of diffraction spots (the intensities decreased, as the temperature grew). It is confirmed that the Debye temperatures for the cleavage surface (100) and in the bulk of In4Se3 crystal are different. The anisotropy of thermal expansion along the main crystallographic lattice directions in the cleavage plane (100) of In4Se3 is established. Методом дифракцiї повiльних електронiв на вiдбивання дослiджено стабiльнiсть структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 та їх “тепловi” характеристики. Показано, що поверхнi сколювання (100) In4Se3 є структурно стабiльними, i не зазнають атомної реконструкцiї у широкому температурному дiапазонi 77–295 K. За результатами експериментiв з температурної залежностi iнтенсивностi дифракцiйних рефлексiв, яка зменшується з ростом температури зразка, одержано такi тепловi характеристики поверхонь сколювання, як: температура Дебая та фактор Дебая–Уоллера. Розрахована температура Дебая поверхонь сколювання (100) In4Se3 є температурно-залежною величиною, i її значення є рiзними у трьох рiзних температурних областях для вказаного вище температурного дiапазону 77–295 K. Пiдтверджено, що температура Дебая для поверхонь сколювання (100) In4Se3 та для об’єму кристала є рiзною, а також встановлено анiзотропiю теплового розширення поверхонь сколювання за основними кристалографiчними напрямками у площинi сколу (100) In4Se3. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-23 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018489 10.15407/ujpe59.06.0612 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 6 (2014); 612 Український фізичний журнал; Том 59 № 6 (2014); 612 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.06 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018489/510 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018489/511 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-03-29T09:56:07Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
дифракцiя повiльних електронiв шаруватi кристали мiжшаровi поверхнi сколювання температура Дебая фактор Дебая–Уоллера анiзотропiя теплового розширення |
| spellingShingle |
дифракцiя повiльних електронiв шаруватi кристали мiжшаровi поверхнi сколювання температура Дебая фактор Дебая–Уоллера анiзотропiя теплового розширення Galiy, P. V. Losovyj, Ya. B. Nenchuk, T. M. Yarovets’, I. R. Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв |
| topic_facet |
low energy electron diffraction layered crystals interlayer cleavage surfaces Debye temperature Debye–Waller factor anisotropy of thermal expansion дифракцiя повiльних електронiв шаруватi кристали мiжшаровi поверхнi сколювання температура Дебая фактор Дебая–Уоллера анiзотропiя теплового розширення |
| format |
Article |
| author |
Galiy, P. V. Losovyj, Ya. B. Nenchuk, T. M. Yarovets’, I. R. |
| author_facet |
Galiy, P. V. Losovyj, Ya. B. Nenchuk, T. M. Yarovets’, I. R. |
| author_sort |
Galiy, P. V. |
| title |
Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв |
| title_short |
Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв |
| title_full |
Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв |
| title_fullStr |
Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв |
| title_full_unstemmed |
Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв |
| title_sort |
структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв in4se3 методом дифракцiї повiльних електронiв |
| title_alt |
Low-Energy-Electron-Diffraction Structural Studies of (100) Cleavage Surfaces of In4Se3 Layered Crystals |
| description |
Structure stability and “thermal” parameters of (100) cleavage surfaces of In4Se3 crystals have been studied using the low energy electron diffraction method. The structure of (100) cleavage surfaces of In4Se3 crystals is shown to be stable and not subjected to any reconstruction in a wide temperature interval of 77–295 K. The Debye temperature and the Debye–Waller factor of studied surfaces were calculated on the basis of experimental data obtained for the temperature dependence of the intensities of diffraction spots (the intensities decreased, as the temperature grew). It is confirmed that the Debye temperatures for the cleavage surface (100) and in the bulk of In4Se3 crystal are different. The anisotropy of thermal expansion along the main crystallographic lattice directions in the cleavage plane (100) of In4Se3 is established. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018489 |
| work_keys_str_mv |
AT galiypv lowenergyelectrondiffractionstructuralstudiesof100cleavagesurfacesofin4se3layeredcrystals AT losovyjyab lowenergyelectrondiffractionstructuralstudiesof100cleavagesurfacesofin4se3layeredcrystals AT nenchuktm lowenergyelectrondiffractionstructuralstudiesof100cleavagesurfacesofin4se3layeredcrystals AT yarovetsir lowenergyelectrondiffractionstructuralstudiesof100cleavagesurfacesofin4se3layeredcrystals AT galiypv strukturnidoslidžennâpoverhonʹskolûvannâ100šaruvatihkristalivin4se3metodomdifrakciípovilʹnihelektroniv AT losovyjyab strukturnidoslidžennâpoverhonʹskolûvannâ100šaruvatihkristalivin4se3metodomdifrakciípovilʹnihelektroniv AT nenchuktm strukturnidoslidžennâpoverhonʹskolûvannâ100šaruvatihkristalivin4se3metodomdifrakciípovilʹnihelektroniv AT yarovetsir strukturnidoslidžennâpoverhonʹskolûvannâ100šaruvatihkristalivin4se3metodomdifrakciípovilʹnihelektroniv |
| first_indexed |
2025-10-02T01:14:53Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:14:53Z |
| _version_ |
1851765101010354176 |