Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE

Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE

The theory of conductivity in graphene grown by the chemical vapor deposition on a poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene] (PVDF-TrFE) ferroelectric film has been developed with regard for the charge carrier scattering at large-scale potential nonuniformities created by both the domain struct...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Kurchak, A. I., Strikha, M. V.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:
провiднiсть графену
сегнетоелектрик PVDF-TrFE
метод осаджування з парової фази
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018490
record_format ojs
spelling ujp2-article-20184902019-03-29T09:56:15Z Conductivity of Graphene on Ferroelectric PVDF-TrFE Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE Kurchak, A. I. Strikha, M. V. conductivity of graphene PVDF-TrFE ferroelectric film chemical vapor deposition провiднiсть графену сегнетоелектрик PVDF-TrFE метод осаджування з парової фази The theory of conductivity in graphene grown by the chemical vapor deposition on a poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene] (PVDF-TrFE) ferroelectric film has been developed with regard for the charge carrier scattering at large-scale potential nonuniformities created by both the domain structure of the ferroelectric and a nonuniform distribution of chemical dopants over the graphene surface. As the correlation length of nonuniformities increases, the graphene resistivity has been shown to decrease, and, in the case of a sufficiently uniform distribution of chemical dopants and the sufficiently large domain sizes, to achieve values of 100 Ω and less. Such values make the “graphene on PVDF-TrFE” system competitive with standard conductive and transparent indium tin oxide coverings for photovoltaics. The theoretical results have been compared with experimental data. Побудовано теорiю провiдностi графену, вирощеного методом осаджування з парової фази (CVD), на плiвцi сегнетоелектрика полiвiнiледен флюорид трифлуороетилен (PVDF-TrFE) з урахуванням розсiяння носiїв на великомасштабних неоднорiдностях потенцiалу, зумовлених як наявнiстю доменної структури сегнетоелектрика, так i неоднорiдностями розподiлу хiмiчних допантiв на поверхнi графену. Показано, що зi збiльшенням кореляцiйної довжини, яка описує неоднорiдностi, питомий опiр зменшується, i для випадку достатньо однорiдного розподiлу хiмiчних домiшок i достатньо великих розмiрiв доменiв може становити 100 Ом i менше. Такi значення роблять систему “графен на PVDF-TrFE” конкурентною щодо стандартних провiдних прозорих ITO (iндiй–оксид олова) покриттiв для фотовольтаїки. Проведено порiвняння результатiв теоретичного опису з експериментальними даними. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-23 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490 10.15407/ujpe59.06.0622 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 6 (2014); 622 Український фізичний журнал; Том 59 № 6 (2014); 622 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.06 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490/512 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490/513 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2019-03-29T09:56:15Z
collection OJS
language English
Ukrainian
topic провiднiсть графену
сегнетоелектрик PVDF-TrFE
метод осаджування з парової фази
spellingShingle провiднiсть графену
сегнетоелектрик PVDF-TrFE
метод осаджування з парової фази
Kurchak, A. I.
Strikha, M. V.
Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
topic_facet conductivity of graphene
PVDF-TrFE ferroelectric film
chemical vapor deposition
провiднiсть графену
сегнетоелектрик PVDF-TrFE
метод осаджування з парової фази
format Article
author Kurchak, A. I.
Strikha, M. V.
author_facet Kurchak, A. I.
Strikha, M. V.
author_sort Kurchak, A. I.
title Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
title_short Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
title_full Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
title_fullStr Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
title_full_unstemmed Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
title_sort провiднiсть графену на сегнетоелектрику pvdf-trfe
title_alt Conductivity of Graphene on Ferroelectric PVDF-TrFE
description The theory of conductivity in graphene grown by the chemical vapor deposition on a poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene] (PVDF-TrFE) ferroelectric film has been developed with regard for the charge carrier scattering at large-scale potential nonuniformities created by both the domain structure of the ferroelectric and a nonuniform distribution of chemical dopants over the graphene surface. As the correlation length of nonuniformities increases, the graphene resistivity has been shown to decrease, and, in the case of a sufficiently uniform distribution of chemical dopants and the sufficiently large domain sizes, to achieve values of 100 Ω and less. Such values make the “graphene on PVDF-TrFE” system competitive with standard conductive and transparent indium tin oxide coverings for photovoltaics. The theoretical results have been compared with experimental data.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490
work_keys_str_mv AT kurchakai conductivityofgrapheneonferroelectricpvdftrfe
AT strikhamv conductivityofgrapheneonferroelectricpvdftrfe
AT kurchakai providnistʹgrafenunasegnetoelektrikupvdftrfe
AT strikhamv providnistʹgrafenunasegnetoelektrikupvdftrfe
first_indexed 2025-10-02T01:14:53Z
last_indexed 2025-10-02T01:14:53Z
_version_ 1851765103126380544

Схожі ресурси