Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
The theory of conductivity in graphene grown by the chemical vapor deposition on a poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene] (PVDF-TrFE) ferroelectric film has been developed with regard for the charge carrier scattering at large-scale potential nonuniformities created by both the domain struct...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131204302143488 |
|---|---|
| author | Kurchak, A. I. Strikha, M. V. |
| author_facet | Kurchak, A. I. Strikha, M. V. |
| author_sort | Kurchak, A. I. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-03-29T09:56:15Z |
| description | The theory of conductivity in graphene grown by the chemical vapor deposition on a poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene] (PVDF-TrFE) ferroelectric film has been developed with regard for the charge carrier scattering at large-scale potential nonuniformities created by both the domain structure of the ferroelectric and a nonuniform distribution of chemical dopants over the graphene surface. As the correlation length of nonuniformities increases, the graphene resistivity has been shown to decrease, and, in the case of a sufficiently uniform distribution of chemical dopants and the sufficiently large domain sizes, to achieve values of 100 Ω and less. Such values make the “graphene on PVDF-TrFE” system competitive with standard conductive and transparent indium tin oxide coverings for photovoltaics. The theoretical results have been compared with experimental data. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe59.06.0622 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:14:53Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018490 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:14:53Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20184902019-03-29T09:56:15Z Conductivity of Graphene on Ferroelectric PVDF-TrFE Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE Kurchak, A. I. Strikha, M. V. conductivity of graphene PVDF-TrFE ferroelectric film chemical vapor deposition провiднiсть графену сегнетоелектрик PVDF-TrFE метод осаджування з парової фази The theory of conductivity in graphene grown by the chemical vapor deposition on a poly[(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene] (PVDF-TrFE) ferroelectric film has been developed with regard for the charge carrier scattering at large-scale potential nonuniformities created by both the domain structure of the ferroelectric and a nonuniform distribution of chemical dopants over the graphene surface. As the correlation length of nonuniformities increases, the graphene resistivity has been shown to decrease, and, in the case of a sufficiently uniform distribution of chemical dopants and the sufficiently large domain sizes, to achieve values of 100 Ω and less. Such values make the “graphene on PVDF-TrFE” system competitive with standard conductive and transparent indium tin oxide coverings for photovoltaics. The theoretical results have been compared with experimental data. Побудовано теорiю провiдностi графену, вирощеного методом осаджування з парової фази (CVD), на плiвцi сегнетоелектрика полiвiнiледен флюорид трифлуороетилен (PVDF-TrFE) з урахуванням розсiяння носiїв на великомасштабних неоднорiдностях потенцiалу, зумовлених як наявнiстю доменної структури сегнетоелектрика, так i неоднорiдностями розподiлу хiмiчних допантiв на поверхнi графену. Показано, що зi збiльшенням кореляцiйної довжини, яка описує неоднорiдностi, питомий опiр зменшується, i для випадку достатньо однорiдного розподiлу хiмiчних домiшок i достатньо великих розмiрiв доменiв може становити 100 Ом i менше. Такi значення роблять систему “графен на PVDF-TrFE” конкурентною щодо стандартних провiдних прозорих ITO (iндiй–оксид олова) покриттiв для фотовольтаїки. Проведено порiвняння результатiв теоретичного опису з експериментальними даними. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-23 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490 10.15407/ujpe59.06.0622 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 6 (2014); 622 Український фізичний журнал; Том 59 № 6 (2014); 622 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.06 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490/512 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490/513 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | провiднiсть графену сегнетоелектрик PVDF-TrFE метод осаджування з парової фази Kurchak, A. I. Strikha, M. V. Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE |
| title | Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE |
| title_alt | Conductivity of Graphene on Ferroelectric PVDF-TrFE |
| title_full | Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE |
| title_fullStr | Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE |
| title_full_unstemmed | Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE |
| title_short | Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE |
| title_sort | провiднiсть графену на сегнетоелектрику pvdf-trfe |
| topic | провiднiсть графену сегнетоелектрик PVDF-TrFE метод осаджування з парової фази |
| topic_facet | conductivity of graphene PVDF-TrFE ferroelectric film chemical vapor deposition провiднiсть графену сегнетоелектрик PVDF-TrFE метод осаджування з парової фази |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018490 |
| work_keys_str_mv | AT kurchakai conductivityofgrapheneonferroelectricpvdftrfe AT strikhamv conductivityofgrapheneonferroelectricpvdftrfe AT kurchakai providnistʹgrafenunasegnetoelektrikupvdftrfe AT strikhamv providnistʹgrafenunasegnetoelektrikupvdftrfe |