Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
On the basis of the results of radiographic researches and measurements of thermoelectric parameters of antimony-doped lead telluride, such as the thermoelectric coefficient and the conductivity, the penetration mechanisms of impurity atoms into the crystal lattice of the matrix are established. The...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018498 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131206393004032 |
|---|---|
| author | Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Dzumedzey, R. O. Krynytskyi, O. S. Lyuba, T. S. |
| author_facet | Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Dzumedzey, R. O. Krynytskyi, O. S. Lyuba, T. S. |
| author_sort | Freik, D. M. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-03-31T08:22:15Z |
| description | On the basis of the results of radiographic researches and measurements of thermoelectric parameters of antimony-doped lead telluride, such as the thermoelectric coefficient and the conductivity, the penetration mechanisms of impurity atoms into the crystal lattice of the matrix are established. The influence of impurity on the charge carrier mobility is revealed. The introduction of impurities up to 0.3 at.% is shown to favor the electron mobility owing to thefilling of tellurium vacancies, which are active scattering centers, by antimony ions, the effect of which on the electron mobility is lower. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe59.07.0706 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:14:54Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018498 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:14:54Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20184982019-03-31T08:22:15Z Charge Carrier Scattering Mechanisms in Thermoelectric PbTe:Sb Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Dzumedzey, R. O. Krynytskyi, O. S. Lyuba, T. S. lead telluride doping scattering mechanisms плюмбум телурид легування механiзми розсiювання On the basis of the results of radiographic researches and measurements of thermoelectric parameters of antimony-doped lead telluride, such as the thermoelectric coefficient and the conductivity, the penetration mechanisms of impurity atoms into the crystal lattice of the matrix are established. The influence of impurity on the charge carrier mobility is revealed. The introduction of impurities up to 0.3 at.% is shown to favor the electron mobility owing to thefilling of tellurium vacancies, which are active scattering centers, by antimony ions, the effect of which on the electron mobility is lower. На основi результатiв рентгенографiчних дослiджень та вимiрювання термоелектричних параметрiв (коефiцiєнта термо-ерс a та питомої електропровiдностi q) легованого сурмою плюмбум телуриду, встановлено механiзми входження домiшкових атомiв у кристалiчну ґратку матрицi та їх вплив на рухливiсть носiїв заряду. Показано, що введення домiшки в кiлькостi до 0,3 ат.% сприяє зростанню рухливостi електронiв внаслiдок заповнення вакансiй телуру, якi є активними розсiюючими центрами, iонами стибiю, вплив яких на рухливiсть є меншим. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-24 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018498 10.15407/ujpe59.07.0706 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 7 (2014); 706 Український фізичний журнал; Том 59 № 7 (2014); 706 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.07 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018498/523 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018498/524 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | плюмбум телурид легування механiзми розсiювання Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Dzumedzey, R. O. Krynytskyi, O. S. Lyuba, T. S. Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb |
| title | Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb |
| title_alt | Charge Carrier Scattering Mechanisms in Thermoelectric PbTe:Sb |
| title_full | Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb |
| title_fullStr | Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb |
| title_full_unstemmed | Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb |
| title_short | Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb |
| title_sort | механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному pbte:sb |
| topic | плюмбум телурид легування механiзми розсiювання |
| topic_facet | lead telluride doping scattering mechanisms плюмбум телурид легування механiзми розсiювання |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018498 |
| work_keys_str_mv | AT freikdm chargecarrierscatteringmechanismsinthermoelectricpbtesb AT mudryisi chargecarrierscatteringmechanismsinthermoelectricpbtesb AT gorichokiv chargecarrierscatteringmechanismsinthermoelectricpbtesb AT dzumedzeyro chargecarrierscatteringmechanismsinthermoelectricpbtesb AT krynytskyios chargecarrierscatteringmechanismsinthermoelectricpbtesb AT lyubats chargecarrierscatteringmechanismsinthermoelectricpbtesb AT freikdm mehanizmirozsiûvannânosiívzarâduutermoelektričnomupbtesb AT mudryisi mehanizmirozsiûvannânosiívzarâduutermoelektričnomupbtesb AT gorichokiv mehanizmirozsiûvannânosiívzarâduutermoelektričnomupbtesb AT dzumedzeyro mehanizmirozsiûvannânosiívzarâduutermoelektričnomupbtesb AT krynytskyios mehanizmirozsiûvannânosiívzarâduutermoelektričnomupbtesb AT lyubats mehanizmirozsiûvannânosiívzarâduutermoelektričnomupbtesb |