Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах
The results of investigations of the electric and magnetic transport phenomena of charge carriers in the heterostructures with quantum wells and impurity delta-layers in adjacent barriers are reviewed and analyzed. The positive magnetoresistance observed at low temperatures (T < 20 K) and the...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018501 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018501 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20185012019-03-31T08:25:52Z Effects of the Real-Space Transfer of Charge Carriers in the n-AlGaAs/GaAs Heterostructures with the Delta-Layers of Impurity in the Barriers Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах Vainberg, V. V. Pylypchuk, A. S. Poroshin, V. N. Sarbey, O. G. heterostructures quantum wells lateral conduction magnetoresistance delta doping The results of investigations of the electric and magnetic transport phenomena of charge carriers in the heterostructures with quantum wells and impurity delta-layers in adjacent barriers are reviewed and analyzed. The positive magnetoresistance observed at low temperatures (T < 20 K) and the dependence of the charge carrier mobility on the impurity concentration in the delta layers are related to the transport of carriers via two parallel channels with different mobilities, which are the channels formed by the structural and delta-layer quantum wells. The non-linear dependence of the current on the applied electric field strength is explained by the field-induced redistribution of charge carriers between these channels. Приведено та проаналiзовано результати дослiдження електричного на магнiтного транспорту носiїв заряду в гетероструктурах з квантовими ямами i домiшковими дельта-шарами в прилеглих бар’єрах. Додатний магнiтоопiр i вигляд залежностi рухливостi носiїв вiд концентрацiї домiшки в дельта шарах, при низьких температурах (T < 20 K), пов’язуються з транспортом носiїв по двох паралельних каналах з рiзною рухливiстю носiїв: структурним i утвореними дельта-шарами домiшки квантовим ямам. Нелiнiйна залежнiсть струму вiд величини прикладеного електричного поля пояснюється зумовленим полем перерозподiлом носiїв мiж цими каналами. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-24 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018501 10.15407/ujpe59.07.0721 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 7 (2014); 721 Український фізичний журнал; Том 59 № 7 (2014); 721 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.07 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018501/528 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
heterostructures quantum wells lateral conduction magnetoresistance delta doping |
| spellingShingle |
heterostructures quantum wells lateral conduction magnetoresistance delta doping Vainberg, V. V. Pylypchuk, A. S. Poroshin, V. N. Sarbey, O. G. Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах |
| topic_facet |
heterostructures quantum wells lateral conduction magnetoresistance delta doping |
| format |
Article |
| author |
Vainberg, V. V. Pylypchuk, A. S. Poroshin, V. N. Sarbey, O. G. |
| author_facet |
Vainberg, V. V. Pylypchuk, A. S. Poroshin, V. N. Sarbey, O. G. |
| author_sort |
Vainberg, V. V. |
| title |
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах |
| title_short |
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах |
| title_full |
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах |
| title_fullStr |
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах |
| title_full_unstemmed |
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах |
| title_sort |
ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-algaas/gaas з дельта-шарами домiшки в бар’єрах |
| title_alt |
Effects of the Real-Space Transfer of Charge Carriers in the n-AlGaAs/GaAs Heterostructures with the Delta-Layers of Impurity in the Barriers |
| description |
The results of investigations of the electric and magnetic transport phenomena of charge carriers in the heterostructures with quantum wells and impurity delta-layers in adjacent barriers are reviewed and analyzed. The positive magnetoresistance observed at low temperatures (T < 20 K) and the dependence of the charge carrier mobility on the impurity concentration in the delta layers are related to the transport of carriers via two parallel channels with different mobilities, which are the channels formed by the structural and delta-layer quantum wells. The non-linear dependence of the current on the applied electric field strength is explained by the field-induced redistribution of charge carriers between these channels. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018501 |
| work_keys_str_mv |
AT vainbergvv effectsoftherealspacetransferofchargecarriersinthenalgaasgaasheterostructureswiththedeltalayersofimpurityinthebarriers AT pylypchukas effectsoftherealspacetransferofchargecarriersinthenalgaasgaasheterostructureswiththedeltalayersofimpurityinthebarriers AT poroshinvn effectsoftherealspacetransferofchargecarriersinthenalgaasgaasheterostructureswiththedeltalayersofimpurityinthebarriers AT sarbeyog effectsoftherealspacetransferofchargecarriersinthenalgaasgaasheterostructureswiththedeltalayersofimpurityinthebarriers AT vainbergvv efektiprostorovogoperenosunosiívzarâduvgeterostrukturahnalgaasgaaszdelʹtašaramidomiškivbarêrah AT pylypchukas efektiprostorovogoperenosunosiívzarâduvgeterostrukturahnalgaasgaaszdelʹtašaramidomiškivbarêrah AT poroshinvn efektiprostorovogoperenosunosiívzarâduvgeterostrukturahnalgaasgaaszdelʹtašaramidomiškivbarêrah AT sarbeyog efektiprostorovogoperenosunosiívzarâduvgeterostrukturahnalgaasgaaszdelʹtašaramidomiškivbarêrah |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:00Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:00Z |
| _version_ |
1795757627911700480 |