Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
Possibilities of plasma chemical deposition of a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) films undoped and doped with PH3 or B2H6 have been analyzed from the viewpoint of their application in p–i–n structures of solar cells. The optical, electric, and photo-electric properties are considered, and the amount o...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018533 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20185332019-03-31T18:55:36Z Optoelectronic Properties of Thin Hydrogenated a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) Films Produced by Plasma Chemical Deposition Technique Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением Najafov, B. A. Dadashova, V. V. thin hydrogenated films plasma chemical deposition photoconductivity гидрогенизированные тонкие пленки плазмохимическое осаждение фотопроводимость Possibilities of plasma chemical deposition of a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) films undoped and doped with PH3 or B2H6 have been analyzed from the viewpoint of their application in p–i–n structures of solar cells. The optical, electric, and photo-electric properties are considered, and the amount of hydrogen contained in those films is determined. The film properties are found to strongly depend on the film composition and the hydrogenation level. The number of hydrogen atoms in the films is varied by changing the gas mixture composition, and IR absorption in a-Si:H and a-Ge:H films is measured. The photoconductivity is calculated using the formula Jph = AF^y with y = 1. The hydrogen concentration NH in the films is characterized by the preferable additional parameter P and was determined with the use of the vibrational stretching and wegging modes for the a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) films. The a-Si:H and a-Si0.88Ge0.12:H films were used to fabricate three-layer solar cells with an element area of 1.3 cm2 and an efficiency of 9.5%. Проанализированы возможности применения технологии плазмохимического осаждения пленок a-Si1−xGex:H (x = 0−1), нелегированных и легированных PH3 и B2H6, для использования их в p–i–n-структурах солнечных элементов. Рассмотрены оптические, электрические, фотоэлектрические свойства, также определено количество водорода, содержащегося в данной пленке. Найдено, что свойства пленки сильно зависят от состава и уровня гидрогенизации. Количество атомов водорода в пленках варьировали путем изменения составов газовой смеси, и измеряли ИК поглощение для пленок a-Si:H и a-Ge:H. Фотопроводимость рассчитывалась по соотношению: Jф = AF^y при y = 1. Концентрация водорода в пленках определялась предпочтительным дополнительным параметром – Р. В то же время NH определялось с помощью колебательной моды растяжения и моды качения для пленок a-Si1−xGex:H (x = 0−1). На основе пленок a-Si:H и a-Si0,88Ge0,12:H изготовлены трехслойные солнечные элементы с площадью элемента 1,3 см2 и эффективностью (E) 9,5%. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-25 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533 10.15407/ujpe59.10.0959 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 10 (2014); 959 Український фізичний журнал; Том 59 № 10 (2014); 959 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533/585 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533/586 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-03-31T18:55:36Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
гидрогенизированные тонкие пленки плазмохимическое осаждение фотопроводимость |
| spellingShingle |
гидрогенизированные тонкие пленки плазмохимическое осаждение фотопроводимость Najafov, B. A. Dadashova, V. V. Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением |
| topic_facet |
thin hydrogenated films plasma chemical deposition photoconductivity гидрогенизированные тонкие пленки плазмохимическое осаждение фотопроводимость |
| format |
Article |
| author |
Najafov, B. A. Dadashova, V. V. |
| author_facet |
Najafov, B. A. Dadashova, V. V. |
| author_sort |
Najafov, B. A. |
| title |
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением |
| title_short |
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением |
| title_full |
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением |
| title_fullStr |
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением |
| title_full_unstemmed |
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением |
| title_sort |
оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-si1−xgex:h (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением |
| title_alt |
Optoelectronic Properties of Thin Hydrogenated a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) Films Produced by Plasma Chemical Deposition Technique |
| description |
Possibilities of plasma chemical deposition of a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) films undoped and doped with PH3 or B2H6 have been analyzed from the viewpoint of their application in p–i–n structures of solar cells. The optical, electric, and photo-electric properties are considered, and the amount of hydrogen contained in those films is determined. The film properties are found to strongly depend on the film composition and the hydrogenation level. The number of hydrogen atoms in the films is varied by changing the gas mixture composition, and IR absorption in a-Si:H and a-Ge:H films is measured. The photoconductivity is calculated using the formula Jph = AF^y with y = 1. The hydrogen concentration NH in the films is characterized by the preferable additional parameter P and was determined with the use of the vibrational stretching and wegging modes for the a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) films. The a-Si:H and a-Si0.88Ge0.12:H films were used to fabricate three-layer solar cells with an element area of 1.3 cm2 and an efficiency of 9.5%. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533 |
| work_keys_str_mv |
AT najafovba optoelectronicpropertiesofthinhydrogenatedasi1xgexhx01filmsproducedbyplasmachemicaldepositiontechnique AT dadashovavv optoelectronicpropertiesofthinhydrogenatedasi1xgexhx01filmsproducedbyplasmachemicaldepositiontechnique AT najafovba optoélektronnyesvojstvavgidrogenizirovannyhtonkihplenkahasi1xgexhx01polučennyhplazmohimičeskimosaždeniem AT dadashovavv optoélektronnyesvojstvavgidrogenizirovannyhtonkihplenkahasi1xgexhx01polučennyhplazmohimičeskimosaždeniem |
| first_indexed |
2025-10-02T01:15:01Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:15:01Z |
| _version_ |
1851765111578951680 |