Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
Possibilities of plasma chemical deposition of a-Si1−xGex:H (x = 0÷1) films undoped and doped with PH3 or B2H6 have been analyzed from the viewpoint of their application in p–i–n structures of solar cells. The optical, electric, and photo-electric properties are considered, and the amount o...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Najafov, B. A., Dadashova, V. V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018533 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
von: B. A. Najafov, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
von: B. A. Nadzhafov, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Структурные изменения при отжиге в композиционных пленках системы углерод – медь
von: Оноприенко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
von: Najafov, B. A., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Квадратичная температурная зависимость магнитосопротивления чистых монокристаллов вольфрама в условиях статического скин-эффекта
von: Марченков, В.В.
Veröffentlicht: (2011)