2025-02-22T16:03:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2018573%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:03:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2018573%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:03:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T16:03:13-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію

Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію

Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення с...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Shmid, V., Podolian, A., Nadtochiy, A., Korotchenkov, O., Romanyuk, B., Melnik, V., Popov, V., Kosulya, O.
Format: Article
Language:English
Ukrainian
Published: Publishing house "Academperiodika" 2019
Subjects:
photovoltage
SiGe
a-Si
poly-Si
-
фото-ЕРС
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення свiтла, що включає обидва нанесенi шари та приповерхневу область пiдкладки Si, у промiжки часу, бiльшi за ≈10–20 мкс пiсля закiнчення свiтлового iмпульсу, спостерiгається фото-ЕРС позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Si в гетероструктурi a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фото-ЕРС (в 6 разiв у наших експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементiв на основi гетероструктури a-Si/GexSi1−x/c-Si.

Similar Items