Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення с...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018573 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20185732019-06-26T13:29:58Z Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію Photoelectric Properties of SiGe Films Covered with Amorphous- and Polycrystalline-Silicon Layers Shmid, V. Podolian, A. Nadtochiy, A. Korotchenkov, O. Romanyuk, B. Melnik, V. Popov, V. Kosulya, O. photovoltage SiGe a-Si poly-Si - фото-ЕРС SiGe a-Si poly-Si - Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення свiтла, що включає обидва нанесенi шари та приповерхневу область пiдкладки Si, у промiжки часу, бiльшi за ≈10–20 мкс пiсля закiнчення свiтлового iмпульсу, спостерiгається фото-ЕРС позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Si в гетероструктурi a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фото-ЕРС (в 6 разiв у наших експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементiв на основi гетероструктури a-Si/GexSi1−x/c-Si. The deposition of thin layers of amorphous (a-Si) or polycrystalline (poly-Si) silicon onto the Ge0.25Si0.75 film already covering the surface of a crystalline silicon (c-Si) wafer is found to significantly reduce the magnitude of the negative surface photovoltage (SPV) generated in the Ge0.25Si0.75 film. At the same time, if the light penetration depth is sufficiently large, so that light penetrates into both the deposited layers and the near-surface region in the Si substrate, a positive SPV is observed within time intervals exceeding 10–20 мs after the light pulse terminates. It is also found that the saturation of the a-Si layer in the a-Si/Ge0.25Si0.75/c-Si heterostructure results in a substantial (by a factor of six) growth of the positive component of the SPV signal. This effect can be used while developing efficient solar components on the basis of a-Si/GexSi1−x/c-Si heterostructures. Publishing house "Academperiodika" 2019-06-18 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573 10.15407/ujpe64.5.415 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 5 (2019); 415 Український фізичний журнал; Том 64 № 5 (2019); 415 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe64.5 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573/1385 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573/1386 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
photovoltage SiGe a-Si poly-Si - фото-ЕРС SiGe a-Si poly-Si - |
| spellingShingle |
photovoltage SiGe a-Si poly-Si - фото-ЕРС SiGe a-Si poly-Si - Shmid, V. Podolian, A. Nadtochiy, A. Korotchenkov, O. Romanyuk, B. Melnik, V. Popov, V. Kosulya, O. Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію |
| topic_facet |
photovoltage SiGe a-Si poly-Si - фото-ЕРС SiGe a-Si poly-Si - |
| format |
Article |
| author |
Shmid, V. Podolian, A. Nadtochiy, A. Korotchenkov, O. Romanyuk, B. Melnik, V. Popov, V. Kosulya, O. |
| author_facet |
Shmid, V. Podolian, A. Nadtochiy, A. Korotchenkov, O. Romanyuk, B. Melnik, V. Popov, V. Kosulya, O. |
| author_sort |
Shmid, V. |
| title |
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію |
| title_short |
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію |
| title_full |
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію |
| title_fullStr |
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію |
| title_full_unstemmed |
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію |
| title_sort |
фотоелектричні властивості плівок sige, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію |
| title_alt |
Photoelectric Properties of SiGe Films Covered with Amorphous- and Polycrystalline-Silicon Layers |
| description |
Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення свiтла, що включає обидва нанесенi шари та приповерхневу область пiдкладки Si, у промiжки часу, бiльшi за ≈10–20 мкс пiсля закiнчення свiтлового iмпульсу, спостерiгається фото-ЕРС позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Si в гетероструктурi a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фото-ЕРС (в 6 разiв у наших експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементiв на основi гетероструктури a-Si/GexSi1−x/c-Si. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573 |
| work_keys_str_mv |
AT shmidv fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT podoliana fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT nadtochiya fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT korotchenkovo fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT romanyukb fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT melnikv fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT popovv fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT kosulyao fotoelektričnívlastivostíplívoksigepokritihšaramiamorfnogotapolíkristalíčnogokremníû AT shmidv photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers AT podoliana photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers AT nadtochiya photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers AT korotchenkovo photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers AT romanyukb photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers AT melnikv photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers AT popovv photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers AT kosulyao photoelectricpropertiesofsigefilmscoveredwithamorphousandpolycrystallinesiliconlayers |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:15Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:15Z |
| _version_ |
1795757635088154624 |