Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію

• Datum: 2019
• Hauptverfasser: Shmid, V., Podolian, A., Nadtochiy, A., Korotchenkov, O., Romanyuk, B., Melnik, V., Popov, V., Kosulya, O.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch; Ukrainisch
• Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Schlagworte: фото-ЕРС; SiGe; a-Si; poly-Si; -
• Online Zugang: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення с...