Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported....
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018608 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20186082019-05-01T08:42:29Z Laser-Stimulated Enhancement of the Reflectance of Single-Crystalline n-GaAs(100) Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар n-GaAs(100) laser irradiation reflection spectra refractive index near-surface layer - The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported. The experiment revealed a growth in the reflectance of the examined crystals after their laser treatment. This integral effect is explained as a result of the difference between the optical characteristics (the complex refractive index) in the near-surface layer and in the bulk of the irradiated material. У данiй роботi представленi результати оптичних дослiджень спектрiв вiдбиття монокристалiв n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом· см (при кiмнатнiй температурi) в дiапазонi 0,2–1,7 мкм до та пiсля лазерного опромiнення в iнтервалi енергiй 66–108 мДж/см2. Експериментально показано збiльшення вiдбиваючої здатностi дослiджуваних кристалiв при данiй лазернiй обробцi. Даний iнтегральний ефект пояснено вiдмiнностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об’єму матерiалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару ˜ns = ns + ixs вiдрiзняється вiд комплексного показника заломлення об’єму матерiалу ˜nv = nv + ixv). Publishing house "Academperiodika" 2018-12-12 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608 10.15407/ujpe62.11.0953 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 11 (2017); 953 Український фізичний журнал; Том 62 № 11 (2017); 953 2071-0194 2071-0186 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608/694 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608/695 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар n-GaAs(100) laser irradiation reflection spectra refractive index near-surface layer - |
| spellingShingle |
n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар n-GaAs(100) laser irradiation reflection spectra refractive index near-surface layer - Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| topic_facet |
n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар n-GaAs(100) laser irradiation reflection spectra refractive index near-surface layer - |
| format |
Article |
| author |
Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. |
| author_facet |
Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. |
| author_sort |
Gentsar, P. O. |
| title |
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_short |
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_full |
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_fullStr |
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_full_unstemmed |
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_sort |
лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-gaas(100) |
| title_alt |
Laser-Stimulated Enhancement of the Reflectance of Single-Crystalline n-GaAs(100) |
| description |
The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported. The experiment revealed a growth in the reflectance of the examined crystals after their laser treatment. This integral effect is explained as a result of the difference between the optical characteristics (the complex refractive index) in the near-surface layer and in the bulk of the irradiated material. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608 |
| work_keys_str_mv |
AT gentsarpo laserstimulatedenhancementofthereflectanceofsinglecrystallinengaas100 AT vlasenkooi laserstimulatedenhancementofthereflectanceofsinglecrystallinengaas100 AT levytskyism laserstimulatedenhancementofthereflectanceofsinglecrystallinengaas100 AT gentsarpo lazernostimulʹovanezbilʹšennâvidbivaûčoízdatnostimonokristaličnogongaas100 AT vlasenkooi lazernostimulʹovanezbilʹšennâvidbivaûčoízdatnostimonokristaličnogongaas100 AT levytskyism lazernostimulʹovanezbilʹšennâvidbivaûčoízdatnostimonokristaličnogongaas100 |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:19Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:19Z |
| _version_ |
1795757637011243008 |