Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported....
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131225390055424 |
|---|---|
| author | Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. |
| author_facet | Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. |
| author_sort | Gentsar, P. O. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-05-01T08:42:29Z |
| description | The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported. The experiment revealed a growth in the reflectance of the examined crystals after their laser treatment. This integral effect is explained as a result of the difference between the optical characteristics (the complex refractive index) in the near-surface layer and in the bulk of the irradiated material. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe62.11.0953 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:15:11Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018608 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:15:11Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20186082019-05-01T08:42:29Z Laser-Stimulated Enhancement of the Reflectance of Single-Crystalline n-GaAs(100) Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар n-GaAs(100) laser irradiation reflection spectra refractive index near-surface layer - The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported. The experiment revealed a growth in the reflectance of the examined crystals after their laser treatment. This integral effect is explained as a result of the difference between the optical characteristics (the complex refractive index) in the near-surface layer and in the bulk of the irradiated material. У данiй роботi представленi результати оптичних дослiджень спектрiв вiдбиття монокристалiв n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом· см (при кiмнатнiй температурi) в дiапазонi 0,2–1,7 мкм до та пiсля лазерного опромiнення в iнтервалi енергiй 66–108 мДж/см2. Експериментально показано збiльшення вiдбиваючої здатностi дослiджуваних кристалiв при данiй лазернiй обробцi. Даний iнтегральний ефект пояснено вiдмiнностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об’єму матерiалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару ˜ns = ns + ixs вiдрiзняється вiд комплексного показника заломлення об’єму матерiалу ˜nv = nv + ixv). Publishing house "Academperiodika" 2018-12-12 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608 10.15407/ujpe62.11.0953 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 11 (2017); 953 Український фізичний журнал; Том 62 № 11 (2017); 953 2071-0194 2071-0186 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608/694 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608/695 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар Gentsar, P. O. Vlasenko, O. I. Levytskyi, S. M. Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title | Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_alt | Laser-Stimulated Enhancement of the Reflectance of Single-Crystalline n-GaAs(100) |
| title_full | Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_fullStr | Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_full_unstemmed | Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_short | Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) |
| title_sort | лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-gaas(100) |
| topic | n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар |
| topic_facet | n-GaAs(100) лазерне опромiнення спектри вiдбиття показник заломлення приповерхневий шар n-GaAs(100) laser irradiation reflection spectra refractive index near-surface layer - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608 |
| work_keys_str_mv | AT gentsarpo laserstimulatedenhancementofthereflectanceofsinglecrystallinengaas100 AT vlasenkooi laserstimulatedenhancementofthereflectanceofsinglecrystallinengaas100 AT levytskyism laserstimulatedenhancementofthereflectanceofsinglecrystallinengaas100 AT gentsarpo lazernostimulʹovanezbilʹšennâvidbivaûčoízdatnostimonokristaličnogongaas100 AT vlasenkooi lazernostimulʹovanezbilʹšennâvidbivaûčoízdatnostimonokristaličnogongaas100 AT levytskyism lazernostimulʹovanezbilʹšennâvidbivaûčoízdatnostimonokristaličnogongaas100 |