Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)

• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Gentsar, P. O., Vlasenko, O. I., Levytskyi, S. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch; Ukrainisch
• Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Schlagworte: n-GaAs(100); лазерне опромiнення; спектри вiдбиття; показник заломлення; приповерхневий шар
• Online Zugang: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported....