Процеси перенесення заряду в системi сплавiв (SnS)1−x(PrS)x
Interactions in the SnS–PrS alloy system have been studied. On the basis of the results of complex physicochemical analysis, the interval of PrS solubility in SnS is determined. The microrelief of the surface of PrxSn1−xS single crystals is analyzed using a scanning probe microscope operating in the...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Abbasov, I. I., Huseynov, J. I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018622 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
за авторством: Olikh, O. Ya.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Olikh, O. Ya.
Опубліковано: (2018)
Перенесення заряду в полікристалічних плівках Pd нанометрової товщини
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2016)
Оптимізація складу та термообробки литих біосумісних сплавiв Ti−18Nb−xSi
за авторством: Шевченко, О.М., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Шевченко, О.М., та інші
Опубліковано: (2016)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
Компенсуюча дія домішки тербію на провідність твердих розчинів TbxSn1 – xSe
за авторством: Huseynov, J. I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Huseynov, J. I., та інші
Опубліковано: (2020)
ВІМС дослiдження поверхнi сплавiв на основi лантану
за авторством: Litvinov, V. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Litvinov, V. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)
Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P₁₉,₃BrxI₈₋x
за авторством: Якимчук, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Якимчук, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Вплив підшарів ґерманію на перенесення заряду в плівках хрому нанометрової товщини
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2016)
Вплив неоднорідностей поверхні на умови перенесення заряду в ультратонких плівках металів
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2014)
Вплив поверхні на перенесення заряду в тонких металевих плівках на основі неперехідних металів
за авторством: Bigun, R. I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bigun, R. I., та інші
Опубліковано: (2010)
Перехід від квантового до класичного перенесення заряду в плівках золота нанометрової товщини
за авторством: Бучковська, М.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Бучковська, М.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
Квазикласичне та квантове перенесення заряду в полікристалічних плівках α-Mn нанометрової товщини
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure
за авторством: P. M. Gorley, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: P. M. Gorley, та інші
Опубліковано: (2010)
I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
I127 NQR spectra of Pb1–xCdxI2 and (BiI3)(1–x)(PbI2)x of mixed layered semiconductors
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
за авторством: Katerinchuk, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Katerinchuk, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)
Випромiнювання точкового заряду та принцип еквiвалентностi
за авторством: Ломпей, Р.Р., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ломпей, Р.Р., та інші
Опубліковано: (2007)
Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
за авторством: Sachenko, A. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Оптичнi властивостi i структура нанокомпозитiв (Co41Fe39B20)x(SiO2)1−x
за авторством: Staschuk, V. S., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Staschuk, V. S., та інші
Опубліковано: (2018)
The bibliographical index to Volumes I–X
за авторством: V. Stanislavskyi
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. Stanislavskyi
Опубліковано: (2010)
Поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячими носiями заряду в p-Te
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Релаксаційні процеси в квантовому дроті з параболічним утриманням
за авторством: Hasanov, Kh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Hasanov, Kh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
за авторством: Freik, D. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Freik, D. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
Density and surface tension of Sn1–xBix melts
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
Density and surface tension of Sn1–xBix melts
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009) -
Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
за авторством: Olikh, O. Ya.
Опубліковано: (2018) -
Перенесення заряду в полікристалічних плівках Pd нанометрової товщини
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2016)