Залежнiсть вiд товщини структурних, електричних i оптичних властивостей ZnS тонких плiвок, осаджених термiчним випаровуванням

• Дата: 2018
• Автор: Vishwakarma, R.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: ZnS films; grain size; dislocation density; electrical resistivity; band gap; activation energy; electron mobility; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018682
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Zinc sulfide (ZnS) thin films are deposited onto an ultrasonically clean glass substrate, by using the thermal evaporation technique at room temperature. The film thickness was varied in the range from 400 nm to 1300 nm. The X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and energy dis...