Kozinetz, A. V., Litvinenko, S. V., & Skryshevsky, V. A. (2018). Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу. Publishing house "Academperiodika". https://doi.org/10.15407/ujpe62.04.0318
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Kozinetz, A. V., S. V. Litvinenko, та V. A. Skryshevsky. Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” P–n-переходу. Publishing house "Academperiodika", 2018. https://doi.org/10.15407/ujpe62.04.0318.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Kozinetz, A. V., et al. Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” P–n-переходу. Publishing house "Academperiodika", 2018. https://doi.org/10.15407/ujpe62.04.0318.