Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу

• Дата: 2018
• Автори: Kozinetz, A. V., Litvinenko, S. V., Skryshevsky, V. A.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: сонячний елемент; кремнiєвий p–n-перехiд; фотострум; швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї; solar cell; silicon junction; photocurrent; surface recombination rate; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018691
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

A capability to produce effective sensor structures on the basis of “deep”silicon junction has been substantiated. If the incident light is strongly absorbed by this junction, the photocurrent through it is shown to substantially depend on the recombination characteristics and the charge state of th...