Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду

Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду

The dependences of the melting threshold of CdTe under the pulsed laser irradiation on the radiation wavelength л and the laser pulse duration тp are calculated with regard for the non-equilibrium character of charge carriers. Three components of the energy released at the thermalization of excited...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2018
Main Authors: Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Gnatyuk, V. A., Levytskyi, S. N.
Format: Article
Language:English
Ukrainian
Published: Publishing house "Academperiodika" 2018
Subjects:
CdTe
iмпульсне лазерне опромiнення
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018717
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018717
record_format ojs
spelling ujp2-article-20187172019-04-23T07:10:37Z Dependence of the CdTe Melting Threshold on the Pulse Duration and Wavelength of Laser Radiation and the Parameters of Non-Equilibrium Charge Carriers Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду Veleschuk, V. P. Vlasenko, O. I. Vlasenko, Z. K. Gnatyuk, V. A. Levytskyi, S. N. CdTe iмпульсне лазерне опромiнення cadmium telluride pulsed laser irradiation - The dependences of the melting threshold of CdTe under the pulsed laser irradiation on the radiation wavelength л and the laser pulse duration тp are calculated with regard for the non-equilibrium character of charge carriers. Three components of the energy released at the thermalization of excited carriers under the nanosecond laser irradiation of CdTe in the fundamental absorption region are considered: the component that dominates immediately after the excitation, and the components released at the nonradiative bulk and nonradiative surface recombinations. Together, they determine the depth of heat penetration into the crystal and, therefore, its melting threshold. It is shown that the CdTe melting threshold grows from 2.6 to 4.75 MW/cm2, when л changes from 300 to 800 nm at тp = 20 ns. The changes in the non-equilibrium charge carrier parameters (the surface recombination rate, lifetime, and diffusion depth) are found to vary the CdTe melting threshold by at least 30%. Розраховано порiг плавлення CdTe в залежностi вiд довжини хвилi випромiнювання Itℎ(л) та тривалостi лазерного iмпульсу Itℎ(тp) з урахуванням параметрiв ННЗ. При наносекундному лазерному опромiненнi CdTe в областi фундаментального поглинання враховано три компоненти енергiї, що видiляється при термалiзацiї збуджених носiїв – вiдразу пiсля збудження (1), при безвипромiнювальнiй об’ємнiй (2) та безвипромiнювальнiй поверхневiй (3) рекомбiнацiї, якi в сукупностi визначають глибину проникнення тепла у кристал i вiдповiдно порiг плавлення. Показано, що порiг плавлення змiнюється вiд 2,6 до 4,75 МВт/см2 при зростаннi л вiд 300 нм до 800 нм при тp = 20 нс. Виявлено, що змiна параметрiв ННЗ – швидкостi поверхневої рекомбiнацiї, часу життя, глибини дифузiї може змiнити порiг плавлення CdTe принаймнi на 30 вiдсоткiв. Publishing house "Academperiodika" 2018-12-23 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018717 10.15407/ujpe62.02.0159 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 2 (2017); 159 Український фізичний журнал; Том 62 № 2 (2017); 159 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe62.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018717/853 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018717/854 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2019-04-23T07:10:37Z
collection OJS
language English
Ukrainian
topic CdTe
iмпульсне лазерне опромiнення
spellingShingle CdTe
iмпульсне лазерне опромiнення
Veleschuk, V. P.
Vlasenko, O. I.
Vlasenko, Z. K.
Gnatyuk, V. A.
Levytskyi, S. N.
Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
topic_facet CdTe
iмпульсне лазерне опромiнення
cadmium telluride
pulsed laser irradiation
-
format Article
author Veleschuk, V. P.
Vlasenko, O. I.
Vlasenko, Z. K.
Gnatyuk, V. A.
Levytskyi, S. N.
author_facet Veleschuk, V. P.
Vlasenko, O. I.
Vlasenko, Z. K.
Gnatyuk, V. A.
Levytskyi, S. N.
author_sort Veleschuk, V. P.
title Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
title_short Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
title_full Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
title_fullStr Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
title_full_unstemmed Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
title_sort залежнiсть порога плавлення cdte вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
title_alt Dependence of the CdTe Melting Threshold on the Pulse Duration and Wavelength of Laser Radiation and the Parameters of Non-Equilibrium Charge Carriers
description The dependences of the melting threshold of CdTe under the pulsed laser irradiation on the radiation wavelength л and the laser pulse duration тp are calculated with regard for the non-equilibrium character of charge carriers. Three components of the energy released at the thermalization of excited carriers under the nanosecond laser irradiation of CdTe in the fundamental absorption region are considered: the component that dominates immediately after the excitation, and the components released at the nonradiative bulk and nonradiative surface recombinations. Together, they determine the depth of heat penetration into the crystal and, therefore, its melting threshold. It is shown that the CdTe melting threshold grows from 2.6 to 4.75 MW/cm2, when л changes from 300 to 800 nm at тp = 20 ns. The changes in the non-equilibrium charge carrier parameters (the surface recombination rate, lifetime, and diffusion depth) are found to vary the CdTe melting threshold by at least 30%.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018717
work_keys_str_mv AT veleschukvp dependenceofthecdtemeltingthresholdonthepulsedurationandwavelengthoflaserradiationandtheparametersofnonequilibriumchargecarriers
AT vlasenkooi dependenceofthecdtemeltingthresholdonthepulsedurationandwavelengthoflaserradiationandtheparametersofnonequilibriumchargecarriers
AT vlasenkozk dependenceofthecdtemeltingthresholdonthepulsedurationandwavelengthoflaserradiationandtheparametersofnonequilibriumchargecarriers
AT gnatyukva dependenceofthecdtemeltingthresholdonthepulsedurationandwavelengthoflaserradiationandtheparametersofnonequilibriumchargecarriers
AT levytskyisn dependenceofthecdtemeltingthresholdonthepulsedurationandwavelengthoflaserradiationandtheparametersofnonequilibriumchargecarriers
AT veleschukvp zaležnistʹporogaplavlennâcdtevidtrivalostiimpulʹsutadovžinihviliviprominûvannâlazeraiparametrivnerivnovažnihnosiívzarâdu
AT vlasenkooi zaležnistʹporogaplavlennâcdtevidtrivalostiimpulʹsutadovžinihviliviprominûvannâlazeraiparametrivnerivnovažnihnosiívzarâdu
AT vlasenkozk zaležnistʹporogaplavlennâcdtevidtrivalostiimpulʹsutadovžinihviliviprominûvannâlazeraiparametrivnerivnovažnihnosiívzarâdu
AT gnatyukva zaležnistʹporogaplavlennâcdtevidtrivalostiimpulʹsutadovžinihviliviprominûvannâlazeraiparametrivnerivnovažnihnosiívzarâdu
AT levytskyisn zaležnistʹporogaplavlennâcdtevidtrivalostiimpulʹsutadovžinihviliviprominûvannâlazeraiparametrivnerivnovažnihnosiívzarâdu
first_indexed 2025-10-02T01:15:30Z
last_indexed 2025-10-02T01:15:30Z
_version_ 1851765145204686848

Similar Items