Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю
The processes of charge-carrier transport and relaxation in silicon-oxide heterostructures based on porous silicon have been studied, by using voltammetric measurements and thermoactivation spectroscopy. The temperature dependences of the conductivity in experimental structures are measured in an in...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018718 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20187182019-04-23T07:10:37Z Electrical Properties of Silicon-Oxide Heterostructures on the Basis of Porous Silicon Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю Olenych, I. B. Monastyrskyi, L. S. Koman, B. P. поруватий кремнiй плiвка оксиду кремнiю ВАХ енергiя активацiї електропровiдностi термостимульована деполяризацiя porous silicon silicon-oxide film current-voltage characteristic conductivity activation energy thermally stimulated depolarization - The processes of charge-carrier transport and relaxation in silicon-oxide heterostructures based on porous silicon have been studied, by using voltammetric measurements and thermoactivation spectroscopy. The temperature dependences of the conductivity in experimental structures are measured in an interval of 80–325 K, and the activation energy of the electrical conductivity is determined. On the basis of the temperature dependences obtained for the depolarization current, the energy distribution of localized electron states, which affect the charge transport processes, is calculated. The influence of coating the porous silicon layer with a thin SiOx film on the electrical properties of the layer is analyzed. The obtained results extend the application scope of silicon-oxide nanosystems. Методами вольт-амперних характеристик i термоактивацiйної спектроскопiї вивчено процеси перенесення та релаксацiї носiїв заряду в оксидокремнiєвих гетероструктурах на основi поруватого кремнiю. Дослiджено температурнi залежностi провiдностi експериментальних структур в iнтервалi 80–325 К та визначено енергiю активацiї електропровiдностi. На основi температурних залежностей струму деполяризацiї розраховано енергетичний розподiл локалiзованих електронних станiв, якi впливають на процеси перенесення заряду у структурах на основi поруватого кремнiю. Проаналiзовано вплив поверхневого покриття поруватого шару тонкою плiвкою SiOx на його електричнi характеристики. Отриманi результати розширюють перспективу застосування оксидокремнiєвих наносистем. Publishing house "Academperiodika" 2018-12-23 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718 10.15407/ujpe62.02.0166 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 2 (2017); 166 Український фізичний журнал; Том 62 № 2 (2017); 166 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe62.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718/855 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718/856 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
поруватий кремнiй плiвка оксиду кремнiю ВАХ енергiя активацiї електропровiдностi термостимульована деполяризацiя porous silicon silicon-oxide film current-voltage characteristic conductivity activation energy thermally stimulated depolarization - |
| spellingShingle |
поруватий кремнiй плiвка оксиду кремнiю ВАХ енергiя активацiї електропровiдностi термостимульована деполяризацiя porous silicon silicon-oxide film current-voltage characteristic conductivity activation energy thermally stimulated depolarization - Olenych, I. B. Monastyrskyi, L. S. Koman, B. P. Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю |
| topic_facet |
поруватий кремнiй плiвка оксиду кремнiю ВАХ енергiя активацiї електропровiдностi термостимульована деполяризацiя porous silicon silicon-oxide film current-voltage characteristic conductivity activation energy thermally stimulated depolarization - |
| format |
Article |
| author |
Olenych, I. B. Monastyrskyi, L. S. Koman, B. P. |
| author_facet |
Olenych, I. B. Monastyrskyi, L. S. Koman, B. P. |
| author_sort |
Olenych, I. B. |
| title |
Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю |
| title_short |
Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю |
| title_full |
Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю |
| title_fullStr |
Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю |
| title_full_unstemmed |
Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю |
| title_sort |
електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю |
| title_alt |
Electrical Properties of Silicon-Oxide Heterostructures on the Basis of Porous Silicon |
| description |
The processes of charge-carrier transport and relaxation in silicon-oxide heterostructures based on porous silicon have been studied, by using voltammetric measurements and thermoactivation spectroscopy. The temperature dependences of the conductivity in experimental structures are measured in an interval of 80–325 K, and the activation energy of the electrical conductivity is determined. On the basis of the temperature dependences obtained for the depolarization current, the energy distribution of localized electron states, which affect the charge transport processes, is calculated. The influence of coating the porous silicon layer with a thin SiOx film on the electrical properties of the layer is analyzed. The obtained results extend the application scope of silicon-oxide nanosystems. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718 |
| work_keys_str_mv |
AT olenychib electricalpropertiesofsiliconoxideheterostructuresonthebasisofporoussilicon AT monastyrskyils electricalpropertiesofsiliconoxideheterostructuresonthebasisofporoussilicon AT komanbp electricalpropertiesofsiliconoxideheterostructuresonthebasisofporoussilicon AT olenychib električnivlastivostioksidokremniêvihgeterostrukturnaosnoviporuvatogokremniû AT monastyrskyils električnivlastivostioksidokremniêvihgeterostrukturnaosnoviporuvatogokremniû AT komanbp električnivlastivostioksidokremniêvihgeterostrukturnaosnoviporuvatogokremniû |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:44Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:44Z |
| _version_ |
1795757648456450048 |