Електричнi властивостi оксидокремнiєвих гетероструктур на основi поруватого кремнiю

• Дата: 2018
• Автори: Olenych, I. B., Monastyrskyi, L. S., Koman, B. P.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: поруватий кремнiй; плiвка оксиду кремнiю; ВАХ; енергiя активацiї електропровiдностi; термостимульована деполяризацiя; porous silicon; silicon-oxide film; current-voltage characteristic; conductivity activation energy; thermally stimulated depolarization; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The processes of charge-carrier transport and relaxation in silicon-oxide heterostructures based on porous silicon have been studied, by using voltammetric measurements and thermoactivation spectroscopy. The temperature dependences of the conductivity in experimental structures are measured in an in...