Поляризацiйнi залежностi фотоструму в p-GaAs
An expression for the spectral and temperature dependences of a photocurrent arising as a result of the linear photovoltaic effect in such semiconductors as gallium arsenide with the hole conduction has been derived. The photocurrent is shown to arise owing to the presence of terms with different pa...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | Rasulov, V. R. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019015 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячими носiями заряду в p-Te
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
за авторством: Bondar, V. M., та інші
Опубліковано: (2019) -
Вплив анiзотропних механiзмiв розсiяння на поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячих електронiв
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016) -
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)