Поляризацiйнi залежностi фотоструму в p-GaAs
An expression for the spectral and temperature dependences of a photocurrent arising as a result of the linear photovoltaic effect in such semiconductors as gallium arsenide with the hole conduction has been derived. The photocurrent is shown to arise owing to the presence of terms with different pa...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Rasulov, V. R. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019015 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячими носiями заряду в p-Te
von: Tomchuk, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
von: Bondar, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Вплив анiзотропних механiзмiв розсiяння на поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячих електронiв
von: Tomchuk, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016) -
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)