Buchumschlag

Поляризацiйнi залежностi фотоструму в p-GaAs

An expression for the spectral and temperature dependences of a photocurrent arising as a result of the linear photovoltaic effect in such semiconductors as gallium arsenide with the hole conduction has been derived. The photocurrent is shown to arise owing to the presence of terms with different pa...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
1. Verfasser:	Rasulov, V. R.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2019
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019015
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячими носiями заряду в p-Te
von: Tomchuk, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
von: Bondar, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив анiзотропних механiзмiв розсiяння на поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячих електронiв
von: Tomchuk, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)

Апроксимацiя хвильової функцiї та поляризацiйнi характеристики дейтрона для потенцiалiв неймегенської групи
von: Zhaba, V. I.
Veröffentlicht: (2019)

Концентрацiйнi залежностi властивостей водного розчину хлориду натрiю по даних методiв молекулярної динамiки та квазiпружного розсiювання нейтронiв
von: Atamas, N. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Рушiйнi збудження в катiонних ґратках
von: Archilla, J. F. R., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Розмiрнi залежностi енергетичних характеристик заряджених металевих кластерiв, що мiстять моновакансiю
von: Pogosov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
von: Gentsar, P. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Кролевчани у вiйнi 1812 року
von: Козлов, О.
Veröffentlicht: (2005)

Кореляцiйнi функцiї кулонiвської пари
von: Vaskivskyi, V. I.
Veröffentlicht: (2019)

Закон дисперсiї та ширина поверхневої акустичної моди в залежностi вiд концентрацiї адсорбованих атомiв
von: Peleshchak, R. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Мiнiзонна електропровiднiсть у надґратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs
von: Boichuk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Оптична кубiчна нелiнiйнiсть наноструктур благородних металiв
von: Tomchuk, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив поляризацiї молекул оксидiв металiв на коефiцiєнт дифузiї в димовiй плазмi
von: Dragan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
von: Kondryuk, D. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
von: Савкiна, Р.К., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Спектральний аналiз поляризацiйних характеристик поверхневого плазмонного резонансу в нанорозмiрнiй плiвцi золота
von: Maksimenko, L. S., et al.
Veröffentlicht: (2018)

ІННОВАЦIЙНI ТЕХНОЛОГIЇ ПЕРСПЕКТИВНИХ IНФОРМАЦIЙНИХ СИСТЕM
von: LAVRICH, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Композицiйнi сцинтилятори та особливостi їх радiацiйної стiйкостi
von: Krech, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Модельно незалежнi радiацiйнi поправки в пружному протон-електронному розсiяннi
von: Gakh, G. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Конформацiйнi властивостi молекули кверцетину: квантово-хiмiчне дослiдження
von: Проценко, I.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Радiацiйнi пошкодження багатостiнних вуглецевих нанотрубок при опромiненнi електронами
von: Pinchuk-Rugal, T. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Методико-органiзацiйнi пiдходи до становлення iнновацiйної сфери в Українi
von: Каракай, Ю.
Veröffentlicht: (2006)

Перколяцiйнi властивостi систем на основi полiпропiленглiколю та вуглецевих нанотрубок
von: Lysenkov, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Автоiонiзацiйнi резонанси в спектрi трифотонної iонiзацiї атома iтербiю
von: Gomonai, A. I.
Veröffentlicht: (2019)

Квантово-розмiрнi осциляцiйнi ефекти термоелектричних параметрiв у наноструктурах халькогенiдiв свинцю
von: Freik, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Нелiнiйнi коливання твердих тiл, плаваючих на хвильовiй поверхнi
von: Сердюченко, А.М.
Veröffentlicht: (2001)

Дистанцiйнi аерокосмiчнi дослiдження в природокористуваннi як мiждисциплiнарний науковий напрям
von: Федоровський, О.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Optical properties of p-type porous GaAs
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Розподiл iнтенсивностi в спектрi молекулярного розсiювання свiтла i релаксацiйнi явища в рiдинах
von: Eshchanov, B., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Зарядженi полiсульфоновi ультрафiльтрацiйнi мембрани, сформованi в присутностi iоногенних поверхнево-активних олiгомерiв
von: Босак, В.З., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром
von: Sachenko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Конформацiйнi ефекти i спектри фотолюмiнесценцiї нанокомпозитiв рiдкий кристал 5CB–вуглецевi нанотрубки
von: Klishevich, G. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Лiнiйнi нетеровi крайовi задачi для динамiчних систем на часовiй шкалi
von: Бойчук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)