Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою

A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of th...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Peleshchak, R. M., Kuzyk, O. V., Dan’kiv, O. O.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019054
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2019054
record_format ojs
spelling ujp2-article-20190542019-04-18T13:39:46Z Formation of Periodic Structures under the Influence of an Acoustic Wave in Semiconductors with a Two-Component Defect Subsystem Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою Peleshchak, R. M. Kuzyk, O. V. Dan’kiv, O. O. point defects acoustic wave diffusion deformation - A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of this model, a possibility of the ultrasound-stimulated hydrogen passivation of electrically active Cl centers in the CdTe semiconductor and the size dispersion reduction of strained InAs/GaAs quantum dots doped with an isovalent impurity are analyzed. Побудовано деформацiйно-дифузiйну модель формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою. Запропонована теорiя враховує деформацiю, створену акустичною хвилею та точковими дефектами. У межах даної моделi проаналiзовано можливiсть стимулювання ультразвуком пасивацiї електрично активних центрiв Cl воднем у напiвпровiднику CdTe та зменшення дисперсiї розмiрiв напружених квантових точок InAs/GaAs, легованих iзовалентною домiшкою. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-05 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019054 10.15407/ujpe61.08.0747 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 8 (2016); 741 Український фізичний журнал; Том 61 № 8 (2016); 741 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.08 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019054/942 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2019-04-18T13:39:46Z
collection OJS
language English
topic_facet point defects
acoustic wave
diffusion
deformation
-
format Article
author Peleshchak, R. M.
Kuzyk, O. V.
Dan’kiv, O. O.
spellingShingle Peleshchak, R. M.
Kuzyk, O. V.
Dan’kiv, O. O.
Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
author_facet Peleshchak, R. M.
Kuzyk, O. V.
Dan’kiv, O. O.
author_sort Peleshchak, R. M.
title Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
title_short Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
title_full Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
title_fullStr Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
title_full_unstemmed Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
title_sort формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
title_alt Formation of Periodic Structures under the Influence of an Acoustic Wave in Semiconductors with a Two-Component Defect Subsystem
description A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of this model, a possibility of the ultrasound-stimulated hydrogen passivation of electrically active Cl centers in the CdTe semiconductor and the size dispersion reduction of strained InAs/GaAs quantum dots doped with an isovalent impurity are analyzed.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2019
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019054
work_keys_str_mv AT peleshchakrm formationofperiodicstructuresundertheinfluenceofanacousticwaveinsemiconductorswithatwocomponentdefectsubsystem
AT kuzykov formationofperiodicstructuresundertheinfluenceofanacousticwaveinsemiconductorswithatwocomponentdefectsubsystem
AT dankivoo formationofperiodicstructuresundertheinfluenceofanacousticwaveinsemiconductorswithatwocomponentdefectsubsystem
AT peleshchakrm formuvannâperiodičnihstrukturpidvplivomakustičnoíhviliunapivprovidnikahzdvokomponentnoûdefektnoûpidsistemoû
AT kuzykov formuvannâperiodičnihstrukturpidvplivomakustičnoíhviliunapivprovidnikahzdvokomponentnoûdefektnoûpidsistemoû
AT dankivoo formuvannâperiodičnihstrukturpidvplivomakustičnoíhviliunapivprovidnikahzdvokomponentnoûdefektnoûpidsistemoû
first_indexed 2025-10-02T01:15:42Z
last_indexed 2025-10-02T01:15:42Z
_version_ 1851765157909233664