Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8
The optical properties of AgGaGe3Se8 single crystals doped with Cu, In, and Sn atoms have been studied. A physical model is proposed for those compounds, which are wide-gap semiconductors (Eg ≈ 2.09–2.15 eV at T = 300 K) with the p-type conductivity, and whose optical parameters depend on the dopant...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019063 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019063 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20190632019-04-17T15:14:09Z Influence of Cu-, Sn-, and in-Doping on Optical Properties of AgGaGe3Se8 Single Crystals Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8 Krymus, A. S. Myronchuk, G. L. Parasyuk, O. V. chalcogenide crystals optical properties Urbach energy - The optical properties of AgGaGe3Se8 single crystals doped with Cu, In, and Sn atoms have been studied. A physical model is proposed for those compounds, which are wide-gap semiconductors (Eg ≈ 2.09–2.15 eV at T = 300 K) with the p-type conductivity, and whose optical parameters depend on the dopant nature and concentration. On the basis of this model and making allowance for specific features of disordered systems, the obtained experimental results are explained. У роботi дослiджено оптичнi властивостi монокристалiв тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Sn. Цi сполуки є широкозонними напiвпровiдниками (Eg ≈ 2,15–2,09 еВ при T = 300 К) p-типу провiдностi з оптичними параметрами, якi залежать вiд природи i концентрацiї легуючих домiшок. На основi запропонованої фiзичної моделi, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено iнтерпретацiю одержаних експериментальних результатiв. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-05 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019063 10.15407/ujpe61.07.0606 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 7 (2016); 606 Український фізичний журнал; Том 61 № 7 (2016); 606 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.07 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019063/953 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
chalcogenide crystals optical properties Urbach energy - |
| spellingShingle |
chalcogenide crystals optical properties Urbach energy - Krymus, A. S. Myronchuk, G. L. Parasyuk, O. V. Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8 |
| topic_facet |
chalcogenide crystals optical properties Urbach energy - |
| format |
Article |
| author |
Krymus, A. S. Myronchuk, G. L. Parasyuk, O. V. |
| author_facet |
Krymus, A. S. Myronchuk, G. L. Parasyuk, O. V. |
| author_sort |
Krymus, A. S. |
| title |
Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8 |
| title_short |
Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8 |
| title_full |
Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8 |
| title_fullStr |
Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8 |
| title_full_unstemmed |
Вплив легування атомами Cu, Sn і In на оптичнi властивостi монокристалiв AgGaGe3Se8 |
| title_sort |
вплив легування атомами cu, sn і in на оптичнi властивостi монокристалiв aggage3se8 |
| title_alt |
Influence of Cu-, Sn-, and in-Doping on Optical Properties of AgGaGe3Se8 Single Crystals |
| description |
The optical properties of AgGaGe3Se8 single crystals doped with Cu, In, and Sn atoms have been studied. A physical model is proposed for those compounds, which are wide-gap semiconductors (Eg ≈ 2.09–2.15 eV at T = 300 K) with the p-type conductivity, and whose optical parameters depend on the dopant nature and concentration. On the basis of this model and making allowance for specific features of disordered systems, the obtained experimental results are explained. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019063 |
| work_keys_str_mv |
AT krymusas influenceofcusnandindopingonopticalpropertiesofaggage3se8singlecrystals AT myronchukgl influenceofcusnandindopingonopticalpropertiesofaggage3se8singlecrystals AT parasyukov influenceofcusnandindopingonopticalpropertiesofaggage3se8singlecrystals AT krymusas vplivleguvannâatomamicusníinnaoptičnivlastivostimonokristalivaggage3se8 AT myronchukgl vplivleguvannâatomamicusníinnaoptičnivlastivostimonokristalivaggage3se8 AT parasyukov vplivleguvannâatomamicusníinnaoptičnivlastivostimonokristalivaggage3se8 |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:01Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:01Z |
| _version_ |
1795757656380538880 |