Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю

Metal-induced crystallization in Si–Sn–Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the amorphous Si matrix. A significant acceleration of the m...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	Neimash, V., Dovbeshko, G., Shepelyavyi, P., Danko, V., Melnyk, V., Isaiev, M., Kuzmich, A.
Формат:	Стаття
Мова:	English Ukrainian
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:	сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2019115
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20191152019-04-16T20:10:32Z Raman Scattering in the Process of Tin-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A. solar cell thin films nanocrystals silicon tin metal-induced crystallization - сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя Metal-induced crystallization in Si–Sn–Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the amorphous Si matrix. A significant acceleration of the metal-induced crystallization in Si–Sn–Si structures at their laser-assisted annealing in comparison with their annealing in dark is revealed. A basic possibility of the “on line” monitoring of the size and the concentration of Si nanocrystals in the course of their formation is demonstrated. Методом комбiнацiйного розсiювання свiтла рiзної потужностi поверхнею тонкоплiвкових структур Si–Sn–Si дослiджено процеси iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю. Аналiз спектрiв комбiнацiйного розсiювання використано для контролю температури, розмiру та концентрацiї кристалiв Si, що утворюються в матрицi аморфного Si в процесi вимiрювання спектрiв. Виявлено значне прискорення металом iндукованої кристалiзацiї при лазерному вiдпалi структур Si–Sn–Si порiвняно з вiдпалом у темрявi. Показано принципову можливiсть контролю в режимi “on line” розмiрiв i концентрацiї кристалiв Si в процесi їх формування. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115 10.15407/ujpe61.02.0143 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 2 (2016); 143 Український фізичний журнал; Том 61 № 2 (2016); 143 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115/1026 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115/1027 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date	2019-04-16T20:10:32Z
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя
spellingShingle	сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A. Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
topic_facet	solar cell thin films nanocrystals silicon tin metal-induced crystallization - сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя
format	Article
author	Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A.
author_facet	Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A.
author_sort	Neimash, V.
title	Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
title_short	Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
title_full	Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
title_fullStr	Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
title_full_unstemmed	Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
title_sort	комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
title_alt	Raman Scattering in the Process of Tin-Induced Crystallization of Amorphous Silicon
description	Metal-induced crystallization in Si–Sn–Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the amorphous Si matrix. A significant acceleration of the metal-induced crystallization in Si–Sn–Si structures at their laser-assisted annealing in comparison with their annealing in dark is revealed. A basic possibility of the “on line” monitoring of the size and the concentration of Si nanocrystals in the course of their formation is demonstrated.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2019
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115
work_keys_str_mv	AT neimashv ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT dovbeshkog ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT shepelyavyip ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT dankov ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT melnykv ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT isaievm ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT kuzmicha ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT neimashv kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT dovbeshkog kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT shepelyavyip kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT dankov kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT melnykv kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT isaievm kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT kuzmicha kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû
first_indexed	2025-10-02T01:15:52Z
last_indexed	2025-10-02T01:15:52Z
_version_	1851765170538283008

Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю

Репозитарії

Схожі ресурси