Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
Metal-induced crystallization in Si–Sn–Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the amorphous Si matrix. A significant acceleration of the m...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131273934929920 |
|---|---|
| author | Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A. |
| author_facet | Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A. |
| author_sort | Neimash, V. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-04-16T20:10:32Z |
| description | Metal-induced crystallization in Si–Sn–Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the amorphous Si matrix. A significant acceleration of the metal-induced crystallization in Si–Sn–Si structures at their laser-assisted annealing in comparison with their annealing in dark is revealed. A basic possibility of the “on line” monitoring of the size and the concentration of Si nanocrystals in the course of their formation is demonstrated. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe61.02.0143 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:15:52Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2019115 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:15:52Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20191152019-04-16T20:10:32Z Raman Scattering in the Process of Tin-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A. solar cell thin films nanocrystals silicon tin metal-induced crystallization - сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя Metal-induced crystallization in Si–Sn–Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the amorphous Si matrix. A significant acceleration of the metal-induced crystallization in Si–Sn–Si structures at their laser-assisted annealing in comparison with their annealing in dark is revealed. A basic possibility of the “on line” monitoring of the size and the concentration of Si nanocrystals in the course of their formation is demonstrated. Методом комбiнацiйного розсiювання свiтла рiзної потужностi поверхнею тонкоплiвкових структур Si–Sn–Si дослiджено процеси iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю. Аналiз спектрiв комбiнацiйного розсiювання використано для контролю температури, розмiру та концентрацiї кристалiв Si, що утворюються в матрицi аморфного Si в процесi вимiрювання спектрiв. Виявлено значне прискорення металом iндукованої кристалiзацiї при лазерному вiдпалi структур Si–Sn–Si порiвняно з вiдпалом у темрявi. Показано принципову можливiсть контролю в режимi “on line” розмiрiв i концентрацiї кристалiв Si в процесi їх формування. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115 10.15407/ujpe61.02.0143 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 2 (2016); 143 Український фізичний журнал; Том 61 № 2 (2016); 143 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115/1026 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115/1027 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя Neimash, V. Dovbeshko, G. Shepelyavyi, P. Danko, V. Melnyk, V. Isaiev, M. Kuzmich, A. Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю |
| title | Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю |
| title_alt | Raman Scattering in the Process of Tin-Induced Crystallization of Amorphous Silicon |
| title_full | Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю |
| title_fullStr | Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю |
| title_full_unstemmed | Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю |
| title_short | Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю |
| title_sort | комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю |
| topic | сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя |
| topic_facet | solar cell thin films nanocrystals silicon tin metal-induced crystallization - сонячнi елементи тонкi плiвки нанокристали кремнiй олово металом iндукована кристалiзацiя |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019115 |
| work_keys_str_mv | AT neimashv ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT dovbeshkog ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT shepelyavyip ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT dankov ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT melnykv ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT isaievm ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT kuzmicha ramanscatteringintheprocessoftininducedcrystallizationofamorphoussilicon AT neimashv kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT dovbeshkog kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT shepelyavyip kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT dankov kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT melnykv kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT isaievm kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû AT kuzmicha kombinacijnerozsiûvannâsvitlavprocesiindukovanoíolovomkristalizaciíamorfnogokremniû |