Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)
Electrophysical characteristics of gas-sensitive Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si heterojunctions have been studied experimentally. The analysis of their current-voltage characteristics (CVCs) registered in various gas environments reveals a significant increase of the reverse current through speci...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019126 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20191262019-04-16T19:56:40Z Effect of Gas Environment on Electrophysical Parameters of Heterojunctions on the Basis of Schottky Barrier with Nano-Structured (95% In2O3 + 5% SnO2) Oxide Films Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2) Il'chenko, V. V. Kostiukevych, O. M. Lendiel, V. V. Radko, V. I. Goloborodko, N. S. газовi сенсори адсорбцiя дiелектрична проникнiсть електричнi сили зображення бар’єр Шотткi gas sensors adsorption dielectric permittivity image forces Schottky barrier - Electrophysical characteristics of gas-sensitive Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si heterojunctions have been studied experimentally. The analysis of their current-voltage characteristics (CVCs) registered in various gas environments reveals a significant increase of the reverse current through specimens in the atmosphere of ethanol or isopropyl vapor. Various mechanisms of current flow through the heterojunction are considered to explain this phenomenon. Variations in the potential barrier height under the action of image forces are demonstrated to play a significant role in shifts of the reverse CVC branches of examined specimens. The image force changes are explained by the influence of the adsorbate on the dielectric permittivity of oxide films. Проведено експериментальнi дослiдження електрофiзичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si. Аналiз їх вольт-амперних характеристик, отриманих у рiзних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмiв крiзь зразки в присутностi пари етилового та iзопропiлового спиртiв. Для пояснення цих змiн розглянутi рiзнi механiзми протiкання струму крiзь гетероперехiд. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гiлок ВАХ даних зразкiв вiдiграють змiни висоти потенцiального бар’єра гетеропереходу, спричиненi змiною дiї сил електростатичного зображення в iнтерфейсi. А змiни дiї сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовленi впливом адсорбату на дiелектричну проникнiсть оксидних плiвок. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126 10.15407/ujpe61.01.0038 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 1 (2016); 38 Український фізичний журнал; Том 61 № 1 (2016); 38 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.01 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126/1047 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126/1048 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
газовi сенсори адсорбцiя дiелектрична проникнiсть електричнi сили зображення бар’єр Шотткi gas sensors adsorption dielectric permittivity image forces Schottky barrier - |
| spellingShingle |
газовi сенсори адсорбцiя дiелектрична проникнiсть електричнi сили зображення бар’єр Шотткi gas sensors adsorption dielectric permittivity image forces Schottky barrier - Il'chenko, V. V. Kostiukevych, O. M. Lendiel, V. V. Radko, V. I. Goloborodko, N. S. Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2) |
| topic_facet |
газовi сенсори адсорбцiя дiелектрична проникнiсть електричнi сили зображення бар’єр Шотткi gas sensors adsorption dielectric permittivity image forces Schottky barrier - |
| format |
Article |
| author |
Il'chenko, V. V. Kostiukevych, O. M. Lendiel, V. V. Radko, V. I. Goloborodko, N. S. |
| author_facet |
Il'chenko, V. V. Kostiukevych, O. M. Lendiel, V. V. Radko, V. I. Goloborodko, N. S. |
| author_sort |
Il'chenko, V. V. |
| title |
Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2) |
| title_short |
Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2) |
| title_full |
Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2) |
| title_fullStr |
Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2) |
| title_full_unstemmed |
Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2) |
| title_sort |
про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% in2o3 + 5% sno2) |
| title_alt |
Effect of Gas Environment on Electrophysical Parameters of Heterojunctions on the Basis of Schottky Barrier with Nano-Structured (95% In2O3 + 5% SnO2) Oxide Films |
| description |
Electrophysical characteristics of gas-sensitive Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si heterojunctions have been studied experimentally. The analysis of their current-voltage characteristics (CVCs) registered in various gas environments reveals a significant increase of the reverse current through specimens in the atmosphere of ethanol or isopropyl vapor. Various mechanisms of current flow through the heterojunction are considered to explain this phenomenon. Variations in the potential barrier height under the action of image forces are demonstrated to play a significant role in shifts of the reverse CVC branches of examined specimens. The image force changes are explained by the influence of the adsorbate on the dielectric permittivity of oxide films. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126 |
| work_keys_str_mv |
AT ilchenkovv effectofgasenvironmentonelectrophysicalparametersofheterojunctionsonthebasisofschottkybarrierwithnanostructured95in2o35sno2oxidefilms AT kostiukevychom effectofgasenvironmentonelectrophysicalparametersofheterojunctionsonthebasisofschottkybarrierwithnanostructured95in2o35sno2oxidefilms AT lendielvv effectofgasenvironmentonelectrophysicalparametersofheterojunctionsonthebasisofschottkybarrierwithnanostructured95in2o35sno2oxidefilms AT radkovi effectofgasenvironmentonelectrophysicalparametersofheterojunctionsonthebasisofschottkybarrierwithnanostructured95in2o35sno2oxidefilms AT goloborodkons effectofgasenvironmentonelectrophysicalparametersofheterojunctionsonthebasisofschottkybarrierwithnanostructured95in2o35sno2oxidefilms AT ilchenkovv promehanizmvplivugazovogoseredoviŝanaelektrofizičniparametrigeterostrukturnaosnovibarêrašottkiznanostrukturovanimiplivkamiskladu95in2o35sno2 AT kostiukevychom promehanizmvplivugazovogoseredoviŝanaelektrofizičniparametrigeterostrukturnaosnovibarêrašottkiznanostrukturovanimiplivkamiskladu95in2o35sno2 AT lendielvv promehanizmvplivugazovogoseredoviŝanaelektrofizičniparametrigeterostrukturnaosnovibarêrašottkiznanostrukturovanimiplivkamiskladu95in2o35sno2 AT radkovi promehanizmvplivugazovogoseredoviŝanaelektrofizičniparametrigeterostrukturnaosnovibarêrašottkiznanostrukturovanimiplivkamiskladu95in2o35sno2 AT goloborodkons promehanizmvplivugazovogoseredoviŝanaelektrofizičniparametrigeterostrukturnaosnovibarêrašottkiznanostrukturovanimiplivkamiskladu95in2o35sno2 |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:15Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:15Z |
| _version_ |
1795757663121833984 |