Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)

• Дата: 2019
• Автори: Il'chenko, V. V., Kostiukevych, O. M., Lendiel, V. V., Radko, V. I., Goloborodko, N. S.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: газовi сенсори; адсорбцiя; дiелектрична проникнiсть; електричнi сили зображення; бар’єр Шотткi; gas sensors; adsorption; dielectric permittivity; image forces; Schottky barrier; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Electrophysical characteristics of gas-sensitive Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si heterojunctions have been studied experimentally. The analysis of their current-voltage characteristics (CVCs) registered in various gas environments reveals a significant increase of the reverse current through speci...