Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ
Changes in the electronic properties of the Si(100) surface, when a multilayer structure of oxidized Gd atoms is created on it, have been studied, by using the electron spectroscopy methods. It is shown that, after a number of adsorption cycles of Gd and oxygen atoms on the Si(100)-2×1 surface at ro...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019268 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019268 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20192682019-04-11T08:02:37Z Interaction of Oxygen and Gadolinium with Si(100)-2×1 Surface. Formation of a System with 1-eV Work Function Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. адсорбцiя Gd O Si(100)-2×1 окислення робота виходу дипольний шар adsorption gadolinium oxygen Si(100)-2×1 surface oxidation work function dipole layer - Changes in the electronic properties of the Si(100) surface, when a multilayer structure of oxidized Gd atoms is created on it, have been studied, by using the electron spectroscopy methods. It is shown that, after a number of adsorption cycles of Gd and oxygen atoms on the Si(100)-2×1 surface at room temperature and the annealing of the obtained structure at 600 ∘C, the work function decreases from 4.8 to less than 1 eV. The work function reduction at larger numbers of processing cycles is shown to be accompanied by the oxidation of Gd and Si atoms and a gradual decrease of the Si concentration in the near-surface region. The obtained results are explained by the formation of an O–Gd dipole layer on the surface. Методами електронної спектроскопiї дослiджено змiну електронних властивостей поверхнi Si(100) при створеннi на нiй багатошарової структури окислених атомiв Gd. Показано, що внаслiдок ряду циклiв адсорбцiї атомiв Gd та атомарного кисню при кiмнатнiй температурi на поверхню Si(100)-2×1 та вiдпалу отриманої структури при ≈ 600 ∘C робота виходу поверхнi зменшується вiд 4,8 еВ до значень, менших вiд 1 еВ. Встановлено, що зменшення роботи виходу зi збiльшенням циклiв обробки супроводжується окисленням атомiв Gd та Si i поступовим зменшенням концентрацiї Si в приповерхневiй областi. Отриманi результати пояснюються утворенням на поверхнi дипольного шару O–Gd. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019268 10.15407/ujpe60.02.0097 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 97 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 97 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019268/1269 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019268/1270 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-04-11T08:02:37Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
адсорбцiя Gd O Si(100)-2×1 окислення робота виходу дипольний шар |
| spellingShingle |
адсорбцiя Gd O Si(100)-2×1 окислення робота виходу дипольний шар Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ |
| topic_facet |
адсорбцiя Gd O Si(100)-2×1 окислення робота виходу дипольний шар adsorption gadolinium oxygen Si(100)-2×1 surface oxidation work function dipole layer - |
| format |
Article |
| author |
Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. |
| author_facet |
Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. |
| author_sort |
Nakhodkin, M. G. |
| title |
Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ |
| title_short |
Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ |
| title_full |
Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ |
| title_fullStr |
Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ |
| title_full_unstemmed |
Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ |
| title_sort |
взаємодiя кисню та гадолiнiю з si(100)-2 × 1. утворення системи з роботою виходу 1 ев |
| title_alt |
Interaction of Oxygen and Gadolinium with Si(100)-2×1 Surface. Formation of a System with 1-eV Work Function |
| description |
Changes in the electronic properties of the Si(100) surface, when a multilayer structure of oxidized Gd atoms is created on it, have been studied, by using the electron spectroscopy methods. It is shown that, after a number of adsorption cycles of Gd and oxygen atoms on the Si(100)-2×1 surface at room temperature and the annealing of the obtained structure at 600 ∘C, the work function decreases from 4.8 to less than 1 eV. The work function reduction at larger numbers of processing cycles is shown to be accompanied by the oxidation of Gd and Si atoms and a gradual decrease of the Si concentration in the near-surface region. The obtained results are explained by the formation of an O–Gd dipole layer on the surface. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019268 |
| work_keys_str_mv |
AT nakhodkinmg interactionofoxygenandgadoliniumwithsi10021surfaceformationofasystemwith1evworkfunction AT fedorchenkomi interactionofoxygenandgadoliniumwithsi10021surfaceformationofasystemwith1evworkfunction AT nakhodkinmg vzaêmodiâkisnûtagadoliniûzsi10021utvorennâsistemizrobotoûvihodu1ev AT fedorchenkomi vzaêmodiâkisnûtagadoliniûzsi10021utvorennâsistemizrobotoûvihodu1ev |
| first_indexed |
2025-10-02T01:16:18Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:16:18Z |
| _version_ |
1851765202063720448 |