2025-02-22T17:13:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2019270%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:13:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2019270%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:13:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T17:13:51-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi

Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi

Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Sizov, F.
Format: Article
Language:English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2019
Subjects:
MCT
IR and sub-THz detectors
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id ujp2-article-2019270
record_format ojs
spelling ujp2-article-20192702019-04-11T08:02:37Z Uncooled Wide-Range Spectral Optoelectronic Devices on the Base of HgCdTe Semiconductor Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi Sizov, F. MCT IR and sub-THz detectors - Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating in the IR and sub-THz spectral ranges. В статтi обговорюються результати дослiджень, якi пов’язанi з розвитком та використанням iнфрачервоних (IЧ) та суб-терагерцових (ТГц) приймачiв випромiнювання, що базуються на напiвпровiднику HgCdTe. Показано, що напiвпровiдник КРТ (кадмiй–ртуть–телур) може бути застосованим для створення “двокольорового” детектора, який працює у IЧ та суб-ТГц дiапазонах спектра. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270 10.15407/ujpe60.02.0114 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 114 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 114 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270/1272 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language English
topic MCT
IR and sub-THz detectors
-
spellingShingle MCT
IR and sub-THz detectors
-
Sizov, F.
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
topic_facet MCT
IR and sub-THz detectors
-
format Article
author Sizov, F.
author_facet Sizov, F.
author_sort Sizov, F.
title Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
title_short Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
title_full Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
title_fullStr Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
title_full_unstemmed Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
title_sort неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника hgcdte у широкому спектральному дiапазонi
title_alt Uncooled Wide-Range Spectral Optoelectronic Devices on the Base of HgCdTe Semiconductor
description Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating in the IR and sub-THz spectral ranges.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2019
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270
work_keys_str_mv AT sizovf uncooledwiderangespectraloptoelectronicdevicesonthebaseofhgcdtesemiconductor
AT sizovf neoholodžuvanioptoelektronnipriladinaosnovinapivprovidnikahgcdteuširokomuspektralʹnomudiapazoni
first_indexed 2023-03-24T08:57:46Z
last_indexed 2023-03-24T08:57:46Z
_version_ 1795757677798752256

Similar Items