Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating...
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physicsid |
ujp2-article-2019270 |
---|---|
record_format |
ojs |
spelling |
ujp2-article-20192702019-04-11T08:02:37Z Uncooled Wide-Range Spectral Optoelectronic Devices on the Base of HgCdTe Semiconductor Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi Sizov, F. MCT IR and sub-THz detectors - Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating in the IR and sub-THz spectral ranges. В статтi обговорюються результати дослiджень, якi пов’язанi з розвитком та використанням iнфрачервоних (IЧ) та суб-терагерцових (ТГц) приймачiв випромiнювання, що базуються на напiвпровiднику HgCdTe. Показано, що напiвпровiдник КРТ (кадмiй–ртуть–телур) може бути застосованим для створення “двокольорового” детектора, який працює у IЧ та суб-ТГц дiапазонах спектра. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270 10.15407/ujpe60.02.0114 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 114 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 114 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270/1272 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
institution |
Ukrainian Journal of Physics |
collection |
OJS |
language |
English |
topic |
MCT IR and sub-THz detectors - |
spellingShingle |
MCT IR and sub-THz detectors - Sizov, F. Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
topic_facet |
MCT IR and sub-THz detectors - |
format |
Article |
author |
Sizov, F. |
author_facet |
Sizov, F. |
author_sort |
Sizov, F. |
title |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
title_short |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
title_full |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
title_fullStr |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
title_full_unstemmed |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
title_sort |
неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника hgcdte у широкому спектральному дiапазонi |
title_alt |
Uncooled Wide-Range Spectral Optoelectronic Devices on the Base of HgCdTe Semiconductor |
description |
Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating in the IR and sub-THz spectral ranges. |
publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
publishDate |
2019 |
url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270 |
work_keys_str_mv |
AT sizovf uncooledwiderangespectraloptoelectronicdevicesonthebaseofhgcdtesemiconductor AT sizovf neoholodžuvanioptoelektronnipriladinaosnovinapivprovidnikahgcdteuširokomuspektralʹnomudiapazoni |
first_indexed |
2023-03-24T08:57:46Z |
last_indexed |
2023-03-24T08:57:46Z |
_version_ |
1795757677798752256 |