Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating...
Saved in:
| Date: | 2019 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019270 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20192702019-04-11T08:02:37Z Uncooled Wide-Range Spectral Optoelectronic Devices on the Base of HgCdTe Semiconductor Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi Sizov, F. MCT IR and sub-THz detectors - Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating in the IR and sub-THz spectral ranges. В статтi обговорюються результати дослiджень, якi пов’язанi з розвитком та використанням iнфрачервоних (IЧ) та суб-терагерцових (ТГц) приймачiв випромiнювання, що базуються на напiвпровiднику HgCdTe. Показано, що напiвпровiдник КРТ (кадмiй–ртуть–телур) може бути застосованим для створення “двокольорового” детектора, який працює у IЧ та суб-ТГц дiапазонах спектра. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270 10.15407/ujpe60.02.0114 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 114 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 114 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270/1272 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-04-11T08:02:37Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic_facet |
MCT IR and sub-THz detectors - |
| format |
Article |
| author |
Sizov, F. |
| spellingShingle |
Sizov, F. Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
| author_facet |
Sizov, F. |
| author_sort |
Sizov, F. |
| title |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
| title_short |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
| title_full |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
| title_fullStr |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
| title_full_unstemmed |
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi |
| title_sort |
неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника hgcdte у широкому спектральному дiапазонi |
| title_alt |
Uncooled Wide-Range Spectral Optoelectronic Devices on the Base of HgCdTe Semiconductor |
| description |
Issues associated with the development and the exploitation of infrared (IR) and sub-terahertz (THz) radiation detectors based on HgCdTe semiconductor are discussed. It is shown that this mercury cadmium telluride (MCT) semiconductor can be applied to the development of bi-colour detectors operating in the IR and sub-THz spectral ranges. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019270 |
| work_keys_str_mv |
AT sizovf uncooledwiderangespectraloptoelectronicdevicesonthebaseofhgcdtesemiconductor AT sizovf neoholodžuvanioptoelektronnipriladinaosnovinapivprovidnikahgcdteuširokomuspektralʹnomudiapazoni |
| first_indexed |
2025-10-02T01:16:18Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:16:18Z |
| _version_ |
1851765202169626624 |