Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї
The rarely observed Si(001)-c(8 × 8) reconstruction is a unique nanostructured state of the Si(001) surface. It was obtained through the sample contamination with trace amounts of Cu below the electron spectroscopy detection limit. As our detailed STM investigation shows, the surface is not atomical...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019274 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019274 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20192742019-04-11T08:02:37Z Scanning Tunneling Microscopy Investigation of the Si(001)-c(8 × 8) Nanostructured Surface Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї Goriachko, A. Kulyk, S. P. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. silicon surface reconstruction scanning tunneling microscopy - The rarely observed Si(001)-c(8 × 8) reconstruction is a unique nanostructured state of the Si(001) surface. It was obtained through the sample contamination with trace amounts of Cu below the electron spectroscopy detection limit. As our detailed STM investigation shows, the surface is not atomically flat in the c(8 × 8) state. Instead, the principal elements of this reconstruction belong to two subsequent atomic layers. They are the epitaxial Si ad-dimers in the first atomic layer and the double dimer vacancies in the second atomic layer. Реконструкцiя Si(001)-c(8×8), що спостерiгається в деяких випадках, є унiкальним наноструктурованим станом поверхнi Si(001). Вiн був одержаний внаслiдок внесення домiшок Cu в концентрацiях нижче межi чутливостi електронної спектроскопiї. Детальнi СТМ зображення демонструють, що в станi c(8 × 8) поверхня не є атомарно гладкою, натомiсть складається iз основних елементiв, якi належать двом послiдовним атомним шарам. Цими елементами є епiтаксiйнi аддимери Si в першому (поверхневому) шарi та подвiйнi димернi вакансiї в другому (приповерхневому) шарi кремнiєвого субстрату. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019274 10.15407/ujpe60.02.0148 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 148 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 148 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019274/1278 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
silicon surface reconstruction scanning tunneling microscopy - |
| spellingShingle |
silicon surface reconstruction scanning tunneling microscopy - Goriachko, A. Kulyk, S. P. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї |
| topic_facet |
silicon surface reconstruction scanning tunneling microscopy - |
| format |
Article |
| author |
Goriachko, A. Kulyk, S. P. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. |
| author_facet |
Goriachko, A. Kulyk, S. P. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. |
| author_sort |
Goriachko, A. |
| title |
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї |
| title_short |
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї |
| title_full |
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї |
| title_fullStr |
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї |
| title_full_unstemmed |
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї |
| title_sort |
дослiдження наноструктурованої поверхнi si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї |
| title_alt |
Scanning Tunneling Microscopy Investigation of the Si(001)-c(8 × 8) Nanostructured Surface |
| description |
The rarely observed Si(001)-c(8 × 8) reconstruction is a unique nanostructured state of the Si(001) surface. It was obtained through the sample contamination with trace amounts of Cu below the electron spectroscopy detection limit. As our detailed STM investigation shows, the surface is not atomically flat in the c(8 × 8) state. Instead, the principal elements of this reconstruction belong to two subsequent atomic layers. They are the epitaxial Si ad-dimers in the first atomic layer and the double dimer vacancies in the second atomic layer. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019274 |
| work_keys_str_mv |
AT goriachkoa scanningtunnelingmicroscopyinvestigationofthesi001c88nanostructuredsurface AT kulyksp scanningtunnelingmicroscopyinvestigationofthesi001c88nanostructuredsurface AT melnikpv scanningtunnelingmicroscopyinvestigationofthesi001c88nanostructuredsurface AT nakhodkinmg scanningtunnelingmicroscopyinvestigationofthesi001c88nanostructuredsurface AT goriachkoa doslidžennânanostrukturovanoípoverhnisi001c88metodomskanuûčoítunelʹnoímikroskopií AT kulyksp doslidžennânanostrukturovanoípoverhnisi001c88metodomskanuûčoítunelʹnoímikroskopií AT melnikpv doslidžennânanostrukturovanoípoverhnisi001c88metodomskanuûčoítunelʹnoímikroskopií AT nakhodkinmg doslidžennânanostrukturovanoípoverhnisi001c88metodomskanuûčoítunelʹnoímikroskopií |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:46Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:46Z |
| _version_ |
1795757678229716992 |