Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену
The review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of the domain structure of a ferroelectric substrate on the graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absor...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019659 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20196592019-12-19T20:39:43Z Impact of the Domain Structure in Ferroelectric Substrate on Graphene Conductance Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену Kurchak, A. I. - - graphene-on-ferroelectric domain structure conductance field effect transistor - The review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of the domain structure of a ferroelectric substrate on the graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole layers on the free surface of graphene and localized states on its interfaces is considered. The aspects of the recently developed theory of p–n junctions conductivity in a graphene channel on a ferroelectric substrate, which are created by a 180-degree ferroelectric domain structure, are analyzed, and the cases of different current regimes from ballistic to diffusion one are considered. The influence of size effects in such systems and the possibility of using the results for improving the characteristics of field effect transistors with a graphene channel, nonvolatile ferroelectric memory cells with random access, sensors, as well as for the miniaturization of various devices of functional nanoelectronics are discussed. Огляд присвячено останнiм теоретичним дослiдженням впливу доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графенового каналу. Розглянутий аналiтичний опис ефектiв пам’ятi гiстерезисного типу у польовому транзисторi на основi графен-на-сегнетоелектрику, з урахуванням адсорбованих дипольних шарiв на вiльнiй поверхнi графену i локалiзованих станiв на його iнтерфейсах. Аналiзуються аспекти нещодавно розвинутої теорiї провiдностi p–n переходiв у графеновому каналi на сегнетоелектричнiй пiдкладцi, якi створенi 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянутi випадки рiзних режимiв струму, вiд балiстичного до дифузiйного. Обговорюється вплив розмiрних ефектiв у таких системах та можливiсть використання результатiв для вдосконалення характеристик польових транзисторiв з графеновим каналом, комiрок енергонезалежної сегнетоелектричної пам’ятi з довiльним доступом, сенсорiв, а також для мiнiатюризацiї рiзних пристроїв функцiональної наноелектронiки Publishing house "Academperiodika" 2019-12-09 Article Article application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 12 No. 1 (2017): Reviews; 41 Український фізичний журнал; Том 12 № 1 (2017): Огляди; 41 2071-0194 2071-0186 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659/1515 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-12-19T20:39:43Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Kurchak, A. I. Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену |
| topic_facet |
- - graphene-on-ferroelectric domain structure conductance field effect transistor - |
| format |
Article |
| author |
Kurchak, A. I. |
| author_facet |
Kurchak, A. I. |
| author_sort |
Kurchak, A. I. |
| title |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену |
| title_short |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену |
| title_full |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену |
| title_fullStr |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену |
| title_full_unstemmed |
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену |
| title_sort |
вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену |
| title_alt |
Impact of the Domain Structure in Ferroelectric Substrate on Graphene Conductance |
| description |
The review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of the domain structure of a ferroelectric substrate on the graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole layers on the free surface of graphene and localized states on its interfaces is considered. The aspects of the recently developed theory of p–n junctions conductivity in a graphene channel on a ferroelectric substrate, which are created by a 180-degree ferroelectric domain structure, are analyzed, and the cases of different current regimes from ballistic to diffusion one are considered. The influence of size effects in such systems and the possibility of using the results for improving the characteristics of field effect transistors with a graphene channel, nonvolatile ferroelectric memory cells with random access, sensors, as well as for the miniaturization of various devices of functional nanoelectronics are discussed. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659 |
| work_keys_str_mv |
AT kurchakai impactofthedomainstructureinferroelectricsubstrateongrapheneconductance AT kurchakai vplivdomennoístrukturisegnetoelektričnoípidkladkinaprovidnistʹgrafenu |
| first_indexed |
2025-10-02T01:16:56Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:16:56Z |
| _version_ |
1851765248395051008 |