Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену
The review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of the domain structure of a ferroelectric substrate on the graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absor...
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| Datum: | 2019 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
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| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659 |
| Tags: |
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| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |