Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену

The review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of the domain structure of a ferroelectric substrate on the graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absor...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2019
1. Verfasser: Kurchak, A. I.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2019
Schlagworte:
-
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge