Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену
The review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of the domain structure of a ferroelectric substrate on the graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absor...
Saved in:
| Date: | 2019 |
|---|---|
| Main Author: | Kurchak, A. I. |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
-
Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
by: Kurchak, A. I., et al.
Published: (2018) -
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
by: Strikha, M. V., et al.
Published: (2018) -
Провiднiсть та фотопровiднiсть двовимiрних структур макропористого кремнiю
by: Onyshchenko, V. F., et al.
Published: (2018) -
Електронна структура та електропровiднiсть графену з домiшкою азоту
by: Repetsky, S. P., et al.
Published: (2019) -
Провiднi наностержнi в АПВ плiвках, зумовленi трансформацiєю вуглецю
by: Evtukh, A., et al.
Published: (2018)