Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi

The generalized model of electron transport in the linear response regime developed by R. Landauer, S.Datta, and M. Lundstrom (LDL model) with application to the resistors of any dimension, any size, and arbitrary dispersion working in the ballistic, quasiballistic, or diffusion regimes is summarize...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Kruglyak, Yu. A., Strikha, M. V.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019661
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2019661
record_format ojs
spelling ujp2-article-20196612019-12-19T20:17:28Z Generalized Landauer–Datta–Lundstrom Model in Application to Transport Phenomena in Graphene Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi Kruglyak, Yu. A. Strikha, M. V. графен транспортнi рiвняння транспортнi коефiцiєнти моди провiдностi циклотронна частота ефективна маса теплопровiднiсть - - - The generalized model of electron transport in the linear response regime developed by R. Landauer, S.Datta, and M. Lundstrom (LDL model) with application to the resistors of any dimension, any size, and arbitrary dispersion working in the ballistic, quasiballistic, or diffusion regimes is summarized in a tutorial review article for the reseachers and universities’ teachers and students. The peculiarities of the electron mobility, as well as the dissipation of heat and the voltage drop in ballistic resistors, are also under consideration.On the basis of the LDL transport model, the characteristics of graphene such as the density of electronic states, dependence of the concentration of carriers on the gate voltage, dependence of the number of modes on the energy, maximum conductivity value, various mechanisms of scattering of carriers and the corresponding mobility determined through the Drude formula, cyclotron frequency, effective mass of carriers, frequency limits for a graphene FET, function of the density of phonon states, and relative contribution of electrons and phonons to the thermal conductivity are discussed. У методичному оглядi, розрахованому на науковцiв, викладачiв та студентiв вищої школи, викладено узагальнену модель транспорту електронiв у режимi лiнiйного вiдгуку, яку було розвинуто Р. Ландауером, С. Датта та М. Лундстромом (модель ЛДЛ). Цю модель може бути застосовано до провiдника будь-якої вимiрностi, будь-якого масштабу i з довiльним законом дисперсiї, а також для опису транспорту в балiстичному, квазiбалiстичному або дифузiйному режимi. Обговорено особливостi рухливостi електронiв, дисипацiї тепла i падiння напруги в балiстичних резисторах.З позицiй транспортної моделi ЛДЛ описано такi характеристики графену, як густина електронних станiв i залежнiсть концентрацiї носiїв струму вiд напруги на затворi; залежнiсть числа мод провiдностi вiд енергiї й величина максимальної провiдностi; рiзнi механiзми розсiяння носiїв у графенi; зумовлена цим рухливiсть, визначена згiдно з формулою Друде; циклотронна частота i ефективна маса носiїв у графенi; частотнi межi роботи графенового польового транзистора; функцiя густини фононних станiв; порiвняльний внесок електронiв i фононiв у теплопровiднiсть графену, залежнiсть коефiцiєнта Зеєбека в графенi вiд напруги на затворi. Publishing house "Academperiodika" 2019-12-10 Article Article application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019661 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 10 No. 1 (2015): Reviews; 3 Український фізичний журнал; Том 10 № 1 (2015): Огляди; 3 2071-0194 2071-0186 uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019661/1534 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language Ukrainian
topic графен
транспортнi рiвняння
транспортнi коефiцiєнти
моди провiдностi
циклотронна частота
ефективна маса
теплопровiднiсть
-
-
-
spellingShingle графен
транспортнi рiвняння
транспортнi коефiцiєнти
моди провiдностi
циклотронна частота
ефективна маса
теплопровiднiсть
-
-
-
Kruglyak, Yu. A.
Strikha, M. V.
Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
topic_facet графен
транспортнi рiвняння
транспортнi коефiцiєнти
моди провiдностi
циклотронна частота
ефективна маса
теплопровiднiсть
-
-
-
format Article
author Kruglyak, Yu. A.
Strikha, M. V.
author_facet Kruglyak, Yu. A.
Strikha, M. V.
author_sort Kruglyak, Yu. A.
title Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
title_short Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
title_full Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
title_fullStr Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
title_full_unstemmed Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
title_sort узагальнена модель ландауера–датта–лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
title_alt Generalized Landauer–Datta–Lundstrom Model in Application to Transport Phenomena in Graphene
description The generalized model of electron transport in the linear response regime developed by R. Landauer, S.Datta, and M. Lundstrom (LDL model) with application to the resistors of any dimension, any size, and arbitrary dispersion working in the ballistic, quasiballistic, or diffusion regimes is summarized in a tutorial review article for the reseachers and universities’ teachers and students. The peculiarities of the electron mobility, as well as the dissipation of heat and the voltage drop in ballistic resistors, are also under consideration.On the basis of the LDL transport model, the characteristics of graphene such as the density of electronic states, dependence of the concentration of carriers on the gate voltage, dependence of the number of modes on the energy, maximum conductivity value, various mechanisms of scattering of carriers and the corresponding mobility determined through the Drude formula, cyclotron frequency, effective mass of carriers, frequency limits for a graphene FET, function of the density of phonon states, and relative contribution of electrons and phonons to the thermal conductivity are discussed.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2019
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019661
work_keys_str_mv AT kruglyakyua generalizedlandauerdattalundstrommodelinapplicationtotransportphenomenaingraphene
AT strikhamv generalizedlandauerdattalundstrommodelinapplicationtotransportphenomenaingraphene
AT kruglyakyua uzagalʹnenamodelʹlandaueradattalundstromavzastosuvannidotransportnihâviŝugrafeni
AT strikhamv uzagalʹnenamodelʹlandaueradattalundstromavzastosuvannidotransportnihâviŝugrafeni
first_indexed 2023-03-24T08:58:35Z
last_indexed 2023-03-24T08:58:35Z
_version_ 1795757700946067456