Тонке спінзалежне розщеплення електронних збуджень та їхня дисперсія в одношаровому графені і графіті

Дослiджено дисперсiйнi залежностi електронних збуджень одношарового графену i кристалiчного графiту iз врахуванням спiну електрона. Вперше визначено умови сумiсностi двозначних незвiдних проективних представлень, що характеризують симетрiю спiнорних збуджень у зазначених вище структурах, та розподiл...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2020
Автори: Gubanov, V. O., Naumenko, A. P., Dotsenko, I. S., Sabov, M. M., Gryn, D. V., Bulavin, L. A.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2020
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019671
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
Опис
Резюме:Дослiджено дисперсiйнi залежностi електронних збуджень одношарового графену i кристалiчного графiту iз врахуванням спiну електрона. Вперше визначено умови сумiсностi двозначних незвiдних проективних представлень, що характеризують симетрiю спiнорних збуджень у зазначених вище структурах, та розподiли спiнорних квантових станiв за проективними класами та незвiдними проективними представленнями для всiх точок високої симетрiї у вiдповiдних цим структурам зонах Брiллюена. Встановлено принципове iснування спiнзалежних розщеплень енергетичних електронних станiв, зокрема, розщеплень електронних п-зон в точках Дiрака, або їх принципове об’єднання. Величина спiнзалежних розщеплень може бути значною, наприклад, для халькогенiдiв перехiдних металiв такої самої просторової групи симетрiї, як у кристалiчного графiту, але є невеликою для одношарового графену i кристалiчного графiту, оскiльки вона зумовлена малою енергiєю спiн-орбiтальної взаємодiї для атомiв вуглецю i, як наслiдок, є невеликою для всiх вуглецевих структур.