Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
Optical research of the transmittance and reflectance spectra of p-CdTe(111) single crystals and Cd0.9Zn0.1Te solid solution specimens in a spectral interval of (0.8÷1.7×10−6 m before and after their laser irradiation at the wavelength Λ = 266 nm to energy doses of 17.2–47.01 mJ/cm2 has been carried...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020038 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2020038 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20200382021-04-07T13:56:41Z Influence of Pulsed 266-nm Laser Radiation on the Optical Properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the Region of the Fundamental Optical Transition Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 Gentsar, P.O. Levytskyi, S.M. Stronski, A.V. CdTe CdZnTe пропускання вiдбивання поглинання лазерне опромiнення Напівпровідники і діелектрики CdTe CdZnTe transmission reflection absorption laser irradiation Optical research of the transmittance and reflectance spectra of p-CdTe(111) single crystals and Cd0.9Zn0.1Te solid solution specimens in a spectral interval of (0.8÷1.7×10−6 m before and after their laser irradiation at the wavelength Λ = 266 nm to energy doses of 17.2–47.01 mJ/cm2 has been carried out. The structural gettering, i.e. the absorption due to the presence of regions in semiconductors with a defect structure that can actively absorb point defects and bind impurities, was found to be the main mechanism of influence of a pulsed laser radiation on the optical properties of thin near-surface layers in the studied crystals. В данiй роботi проведено оптичнi дослiдження спектрiв пропускання та вiдбивання монокристалiв р-CdTe(111), а також твердого розчину Cd0,9Zn0,1Te в дiапазонi (0,8–1,7) · 10−6 м до та пiсля лазерного опромiнення на довжинi електромагнiтної хвилi Λ = 266 нм в iнтервалi енергiй 17,2–47,01 мДж/см2. Встановлено, що основним механiзмом впливу iмпульсного лазерного опромiнення на оптичнi властивостi тонких приповерхневих шарiв дослiджених кристалiв є структурне гетерування, тобто поглинання, зумовлене наявнiстю дiлянок напiвпровiдникiв, що мають дефектну структуру i володiють здатнiстю активно поглинати точковi дефекти i зв’язувати домiшки. Publishing house "Academperiodika" 2021-04-07 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020038 10.15407/ujpe66.3.260 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 66 No. 3 (2021); 260 Український фізичний журнал; Том 66 № 3 (2021); 260 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe66.3 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020038/1766 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020038/1767 Copyright (c) 2021 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2021-04-07T13:56:41Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
CdTe CdZnTe пропускання вiдбивання поглинання лазерне опромiнення Напівпровідники і діелектрики |
| spellingShingle |
CdTe CdZnTe пропускання вiдбивання поглинання лазерне опромiнення Напівпровідники і діелектрики Gentsar, P.O. Levytskyi, S.M. Stronski, A.V. Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 |
| topic_facet |
CdTe CdZnTe пропускання вiдбивання поглинання лазерне опромiнення Напівпровідники і діелектрики CdTe CdZnTe transmission reflection absorption laser irradiation |
| format |
Article |
| author |
Gentsar, P.O. Levytskyi, S.M. Stronski, A.V. |
| author_facet |
Gentsar, P.O. Levytskyi, S.M. Stronski, A.V. |
| author_sort |
Gentsar, P.O. |
| title |
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 |
| title_short |
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 |
| title_full |
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 |
| title_fullStr |
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 |
| title_full_unstemmed |
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 |
| title_sort |
вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості cdte та cd0,9zn0,1te в області фундаментального оптичного переходу e0 |
| title_alt |
Influence of Pulsed 266-nm Laser Radiation on the Optical Properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the Region of the Fundamental Optical Transition |
| description |
Optical research of the transmittance and reflectance spectra of p-CdTe(111) single crystals and Cd0.9Zn0.1Te solid solution specimens in a spectral interval of (0.8÷1.7×10−6 m before and after their laser irradiation at the wavelength Λ = 266 nm to energy doses of 17.2–47.01 mJ/cm2 has been carried out. The structural gettering, i.e. the absorption due to the presence of regions in semiconductors with a defect structure that can actively absorb point defects and bind impurities, was found to be the main mechanism of influence of a pulsed laser radiation on the optical properties of thin near-surface layers in the studied crystals. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2021 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020038 |
| work_keys_str_mv |
AT gentsarpo influenceofpulsed266nmlaserradiationontheopticalpropertiesofcdteandcd09zn01teintheregionofthefundamentalopticaltransition AT levytskyism influenceofpulsed266nmlaserradiationontheopticalpropertiesofcdteandcd09zn01teintheregionofthefundamentalopticaltransition AT stronskiav influenceofpulsed266nmlaserradiationontheopticalpropertiesofcdteandcd09zn01teintheregionofthefundamentalopticaltransition AT gentsarpo vplivímpulʹsnogolazernogoopromínennâdovžinaelektromagnítnoíhvilí266nmnaoptičnívlastivostícdtetacd09zn01tevoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0 AT levytskyism vplivímpulʹsnogolazernogoopromínennâdovžinaelektromagnítnoíhvilí266nmnaoptičnívlastivostícdtetacd09zn01tevoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0 AT stronskiav vplivímpulʹsnogolazernogoopromínennâdovžinaelektromagnítnoíhvilí266nmnaoptičnívlastivostícdtetacd09zn01tevoblastífundamentalʹnogooptičnogoperehodue0 |
| first_indexed |
2025-08-07T04:13:11Z |
| last_indexed |
2025-08-07T04:13:11Z |
| _version_ |
1839768526713257984 |