Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe
Conditions for the fabrication of isotype photodiode n-Mn2O3n-CdZnTe heterostructures by the spray pyrolysis of thin a-Mn2O3 bixbite films on n-CdZnTe crystalline substrates have been studied. The temperature dependences of the current-voltage (I-V) characteristics were used to analyze the mechanism...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська Українська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020288 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131381492613121 |
|---|---|
| author | Orlets’kyi, I.G. Ilashchuk, M.I. Maistruk, E.V. Parkhomenko, H.P. Maryanchuk, P.D. |
| author_facet | Orlets’kyi, I.G. Ilashchuk, M.I. Maistruk, E.V. Parkhomenko, H.P. Maryanchuk, P.D. |
| author_sort | Orlets’kyi, I.G. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2021-10-04T17:30:56Z |
| description | Conditions for the fabrication of isotype photodiode n-Mn2O3n-CdZnTe heterostructures by the spray pyrolysis of thin a-Mn2O3 bixbite films on n-CdZnTe crystalline substrates have been studied. The temperature dependences of the current-voltage (I-V) characteristics were used to analyze the mechanisms of electron tunneling through the energy barrier of the heterojunction in the forward and reverse current regimes. The role of energy states at the n-Mn2O3/n-CdZnTe interface in the formation of the barrier parameters was clarified. Based on the capacitance-voltage (C-V) characteristics, the dynamics of changes in the capacitive parameters of the Mn2O3 thin film and the n-CdZnTe inversion layer and the relation between them were established. A model for the energy diagram of the n-Mn2O3/n-CdZnTe heterojunction was presented. The photoelectric properties of the examined heterostructure were analyzed. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe66.9.792 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:17:22Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2020288 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:17:22Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20202882021-10-04T17:30:56Z Electrical Properties and Energy Parameters of Photosensi-tive n-Mn2O3/n-CdZnTe Heterostructures Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe Orlets’kyi, I.G. Ilashchuk, M.I. Maistruk, E.V. Parkhomenko, H.P. Maryanchuk, P.D. thin film spray pyrolysis heterostructure energy diagram photodiode semiconductors and dielectrics тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма фотодiод напівпровідники і діелектрики Conditions for the fabrication of isotype photodiode n-Mn2O3n-CdZnTe heterostructures by the spray pyrolysis of thin a-Mn2O3 bixbite films on n-CdZnTe crystalline substrates have been studied. The temperature dependences of the current-voltage (I-V) characteristics were used to analyze the mechanisms of electron tunneling through the energy barrier of the heterojunction in the forward and reverse current regimes. The role of energy states at the n-Mn2O3/n-CdZnTe interface in the formation of the barrier parameters was clarified. Based on the capacitance-voltage (C-V) characteristics, the dynamics of changes in the capacitive parameters of the Mn2O3 thin film and the n-CdZnTe inversion layer and the relation between them were established. A model for the energy diagram of the n-Mn2O3/n-CdZnTe heterojunction was presented. The photoelectric properties of the examined heterostructure were analyzed. Дослiджено умови виготовлення фотодiодних iзотипних гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок бiксбiту a-Mn2O3 на кристалiчнi пiд-кладинки n-CdZnTe. За температурними залежностями I-V -характеристик проаналiзовано механiзми тунелювання електронiв крiзь енергетичний бар’єр гетеропереходу при прямому та зворотному струмах. З’ясована роль енергетичних станiв на межi n-Mn2O3/n-CdZnTe у формуваннi параметрiв бар’єра. На основi C-V –характеристик встановлено динамiку змiни i взаємозв’язок ємнiсних параметрiв тонкої плiвки n-Mn2O3 та iнверсiйного шару n-CdZnTe. Представлено модель енергетичної дiаграми гетеропереходу n-Mn2O3/n-CdZnTe. Проаналiзовано фотоелектричнi властивостi гетероструктури. Publishing house "Academperiodika" 2021-10-04 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020288 10.15407/ujpe66.9.792 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 66 No. 9 (2021); 792 Український фізичний журнал; Том 66 № 9 (2021); 792 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe66.9 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020288/2016 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020288/2017 Copyright (c) 2020 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма фотодiод напівпровідники і діелектрики Orlets’kyi, I.G. Ilashchuk, M.I. Maistruk, E.V. Parkhomenko, H.P. Maryanchuk, P.D. Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe |
| title | Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe |
| title_alt | Electrical Properties and Energy Parameters of Photosensi-tive n-Mn2O3/n-CdZnTe Heterostructures |
| title_full | Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe |
| title_fullStr | Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe |
| title_full_unstemmed | Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe |
| title_short | Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe |
| title_sort | електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-mn2o3/n-cdznte |
| topic | тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма фотодiод напівпровідники і діелектрики |
| topic_facet | thin film spray pyrolysis heterostructure energy diagram photodiode semiconductors and dielectrics тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма фотодiод напівпровідники і діелектрики |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020288 |
| work_keys_str_mv | AT orletskyiig electricalpropertiesandenergyparametersofphotosensitivenmn2o3ncdznteheterostructures AT ilashchukmi electricalpropertiesandenergyparametersofphotosensitivenmn2o3ncdznteheterostructures AT maistrukev electricalpropertiesandenergyparametersofphotosensitivenmn2o3ncdznteheterostructures AT parkhomenkohp electricalpropertiesandenergyparametersofphotosensitivenmn2o3ncdznteheterostructures AT maryanchukpd electricalpropertiesandenergyparametersofphotosensitivenmn2o3ncdznteheterostructures AT orletskyiig električnívlastivostííenergetičníparametrifotočutlivihgeterostrukturnmn2o3ncdznte AT ilashchukmi električnívlastivostííenergetičníparametrifotočutlivihgeterostrukturnmn2o3ncdznte AT maistrukev električnívlastivostííenergetičníparametrifotočutlivihgeterostrukturnmn2o3ncdznte AT parkhomenkohp električnívlastivostííenergetičníparametrifotočutlivihgeterostrukturnmn2o3ncdznte AT maryanchukpd električnívlastivostííenergetičníparametrifotočutlivihgeterostrukturnmn2o3ncdznte |