Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів

We report the results of first-principles total-energy calculations for structural properties of scandium nitride (ScN) semiconductor compound in NaCl-type (B1), CsCl-type (B2), zincblende-type (B3), wurtzite-type (B4), NiAs-type (B81), CaSi-type (Bc), B-Sn-type (A5), and CuAu-type (L10) structures....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Publishing house "Academperiodika"
Дата:2021
Автори: Yagoub, R., Rekkab Djabri, H., Daoud, S., Beloufa, N., Belarbi, M., Haichour, A., Zegadi, C., Louhibi Fasla, S.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2021
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020305
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2020305
record_format ojs
spelling ujp2-article-20203052021-09-13T10:46:11Z First Principles Study of High-Pressure Phases of ScN Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів Yagoub, R. Rekkab Djabri, H. Daoud, S. Beloufa, N. Belarbi, M. Haichour, A. Zegadi, C. Louhibi Fasla, S. FP-LAPW scandium nitride phase transition GGA electronic structure повнопотенцiальний метод лiнеаризованих приєднаних плоских хвиль нiтрид скандiю фазовий перехiд наближення узагальненого градiєнта електронна структура We report the results of first-principles total-energy calculations for structural properties of scandium nitride (ScN) semiconductor compound in NaCl-type (B1), CsCl-type (B2), zincblende-type (B3), wurtzite-type (B4), NiAs-type (B81), CaSi-type (Bc), B-Sn-type (A5), and CuAu-type (L10) structures. Calculations have been performed with the use of the all-electron full-potential linearized augmented plane wave FP-LAPW method based on density-functional theory (DFT) in the generalized gradient approximation (GGA) for the exchange correlation energy functional. We predict a new phase transition from the most stable cubic NaCl-type structure (B1) to the B-Sn-type one (A5) at 286.82 GPa with a direct band-gap energy of about 1.975 eV. Our calculations show that ScN transforms from the orthorhombic CaSi-type structure (Bc) to A5 at 315 GPa. In agreement with earlier ab initio works, we find that B1 phase transforms to Bc, L10, and B2 structures at 256.27 GPa, 302.08 GPa, and 325.97 GPa, respectively. The electronic structure of A5 phase shows that ScN exhibits a direct band-gap at X point, with Eg of about 1.975 eV. Представлено результати повноенергетичних розрахункiв з перших принципiв структурних властивостей напiвпровiдника нiтриду скандiю (ScN) в структурах типу NaCl (B1), CsCl (B2), сфалериту (B3), вюрциту (B4), NiAs (B81), CaSi (Bc), B-Sn (A5), i CuAu (L10). Розрахунки виконано багатоелектронним повнопотенцiальним методом лiнеаризованих приєднаних плоских хвиль, заснованим на теорiї функцiонала густини в наближеннi узагальненого градiєнта для функцiонала обмiнної кореляцiйної енергiї. Передбачено новий фазовий перехiд iз найбiльш стабiльної кубiчного типу NaCl структури (B1) в структуру типу B-Sn (A5) при тиску 286,82 ГПа з величиною прямозонної щiлини близько 1,975 еВ. Ми показали, що ScN перетвориться з орторомбiчного типу CaS структури (Bc) в A5 при 315 ГПа. Вiдповiдно до вiдомих ab initio розрахункiв, ми знайшли, що B1 фаза переходить у Bc, L10 та B2 структури при 256,27 ГПа, 302,08 ГПа i 325,97 ГПа, вiдповiдно. Електронна структура фази A5 показує, що ScN має прямозонну щiлину в X точцi з Eg близько 1,975 еВ. Publishing house "Academperiodika" 2021-09-13 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020305 10.15407/ujpe66.8.699 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 66 No. 8 (2021); 699 Український фізичний журнал; Том 66 № 8 (2021); 699 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe66.8 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020305/1966 Copyright (c) 2021 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language English
topic FP-LAPW
scandium nitride
phase transition
GGA
electronic structure
повнопотенцiальний метод лiнеаризованих приєднаних плоских хвиль
нiтрид скандiю
фазовий перехiд
наближення узагальненого градiєнта
електронна структура
spellingShingle FP-LAPW
scandium nitride
phase transition
GGA
electronic structure
повнопотенцiальний метод лiнеаризованих приєднаних плоских хвиль
нiтрид скандiю
фазовий перехiд
наближення узагальненого градiєнта
електронна структура
Yagoub, R.
Rekkab Djabri, H.
Daoud, S.
Beloufa, N.
Belarbi, M.
Haichour, A.
Zegadi, C.
Louhibi Fasla, S.
Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
topic_facet FP-LAPW
scandium nitride
phase transition
GGA
electronic structure
повнопотенцiальний метод лiнеаризованих приєднаних плоских хвиль
нiтрид скандiю
фазовий перехiд
наближення узагальненого градiєнта
електронна структура
format Article
author Yagoub, R.
Rekkab Djabri, H.
Daoud, S.
Beloufa, N.
Belarbi, M.
Haichour, A.
Zegadi, C.
Louhibi Fasla, S.
author_facet Yagoub, R.
Rekkab Djabri, H.
Daoud, S.
Beloufa, N.
Belarbi, M.
Haichour, A.
Zegadi, C.
Louhibi Fasla, S.
author_sort Yagoub, R.
title Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
title_short Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
title_full Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
title_fullStr Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
title_full_unstemmed Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
title_sort дослідження фаз scn при високому тиску з перших принципів
title_alt First Principles Study of High-Pressure Phases of ScN
description We report the results of first-principles total-energy calculations for structural properties of scandium nitride (ScN) semiconductor compound in NaCl-type (B1), CsCl-type (B2), zincblende-type (B3), wurtzite-type (B4), NiAs-type (B81), CaSi-type (Bc), B-Sn-type (A5), and CuAu-type (L10) structures. Calculations have been performed with the use of the all-electron full-potential linearized augmented plane wave FP-LAPW method based on density-functional theory (DFT) in the generalized gradient approximation (GGA) for the exchange correlation energy functional. We predict a new phase transition from the most stable cubic NaCl-type structure (B1) to the B-Sn-type one (A5) at 286.82 GPa with a direct band-gap energy of about 1.975 eV. Our calculations show that ScN transforms from the orthorhombic CaSi-type structure (Bc) to A5 at 315 GPa. In agreement with earlier ab initio works, we find that B1 phase transforms to Bc, L10, and B2 structures at 256.27 GPa, 302.08 GPa, and 325.97 GPa, respectively. The electronic structure of A5 phase shows that ScN exhibits a direct band-gap at X point, with Eg of about 1.975 eV.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2021
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020305
work_keys_str_mv AT yagoubr firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT rekkabdjabrih firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT daouds firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT beloufan firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT belarbim firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT haichoura firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT zegadic firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT louhibifaslas firstprinciplesstudyofhighpressurephasesofscn
AT yagoubr doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
AT rekkabdjabrih doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
AT daouds doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
AT beloufan doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
AT belarbim doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
AT haichoura doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
AT zegadic doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
AT louhibifaslas doslídžennâfazscnprivisokomutiskuzperšihprincipív
first_indexed 2023-03-24T08:59:09Z
last_indexed 2023-03-24T08:59:09Z
_version_ 1795757716830945280