Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors.
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131391980470272 |
|---|---|
| author | Kozynets’, O.V. Litvinenko, S.V. |
| author_facet | Kozynets’, O.V. Litvinenko, S.V. |
| author_sort | Kozynets’, O.V. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2021-12-03T15:49:32Z |
| description | The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe57.12.1234 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:17:31Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2021131 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:17:31Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20211312021-12-03T15:49:32Z Physical Properties of Sensor Structures on the Basis of Silicon p−n Junction with Interdigitated Back Contacts Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні Kozynets’, O.V. Litvinenko, S.V. - - The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors. Досліджено вплив адсорбції молекул води на фоточутливість кремнієвого p–n-переходу із зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні. Показана можливість використання таких структур для створення ефективних хімічнихсенсорів. Publishing house "Academperiodika" 2012-12-15 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131 10.15407/ujpe57.12.1234 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 12 (2012); 1234 Український фізичний журнал; Том 57 № 12 (2012); 1234 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.12 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131/1812 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131/1813 |
| spellingShingle | - Kozynets’, O.V. Litvinenko, S.V. Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні |
| title | Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні |
| title_alt | Physical Properties of Sensor Structures on the Basis of Silicon p−n Junction with Interdigitated Back Contacts |
| title_full | Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні |
| title_fullStr | Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні |
| title_full_unstemmed | Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні |
| title_short | Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні |
| title_sort | фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131 |
| work_keys_str_mv | AT kozynetsov physicalpropertiesofsensorstructuresonthebasisofsiliconpnjunctionwithinterdigitatedbackcontacts AT litvinenkosv physicalpropertiesofsensorstructuresonthebasisofsiliconpnjunctionwithinterdigitatedbackcontacts AT kozynetsov fízičnívlastivostísensornihstrukturnaosnovíkremníêvogopnperehoduzzustríčnimigrebínčatimikontaktaminatilʹníjpoverhní AT litvinenkosv fízičnívlastivostísensornihstrukturnaosnovíkremníêvogopnperehoduzzustríčnimigrebínčatimikontaktaminatilʹníjpoverhní |