Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні

The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors.

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2012
Main Authors: Kozynets’, O.V., Litvinenko, S.V.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2012
Subjects:
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2021131
record_format ojs
spelling ujp2-article-20211312021-12-03T15:49:32Z Physical Properties of Sensor Structures on the Basis of Silicon p−n Junction with Interdigitated Back Contacts Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні Kozynets’, O.V. Litvinenko, S.V. - - The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors. Досліджено вплив адсорбції молекул води на фоточутливість кремнієвого p–n-переходу із зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні. Показана можливість використання таких структур для створення ефективних хімічнихсенсорів. Publishing house "Academperiodika" 2012-12-15 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131 10.15407/ujpe57.12.1234 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 12 (2012); 1234 Український фізичний журнал; Том 57 № 12 (2012); 1234 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.12 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131/1812 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131/1813
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2021-12-03T15:49:32Z
collection OJS
language Ukrainian
English
topic -
spellingShingle -
Kozynets’, O.V.
Litvinenko, S.V.
Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
topic_facet -
-
format Article
author Kozynets’, O.V.
Litvinenko, S.V.
author_facet Kozynets’, O.V.
Litvinenko, S.V.
author_sort Kozynets’, O.V.
title Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
title_short Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
title_full Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
title_fullStr Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
title_full_unstemmed Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
title_sort фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
title_alt Physical Properties of Sensor Structures on the Basis of Silicon p−n Junction with Interdigitated Back Contacts
description The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2012
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131
work_keys_str_mv AT kozynetsov physicalpropertiesofsensorstructuresonthebasisofsiliconpnjunctionwithinterdigitatedbackcontacts
AT litvinenkosv physicalpropertiesofsensorstructuresonthebasisofsiliconpnjunctionwithinterdigitatedbackcontacts
AT kozynetsov fízičnívlastivostísensornihstrukturnaosnovíkremníêvogopnperehoduzzustríčnimigrebínčatimikontaktaminatilʹníjpoverhní
AT litvinenkosv fízičnívlastivostísensornihstrukturnaosnovíkremníêvogopnperehoduzzustríčnimigrebínčatimikontaktaminatilʹníjpoverhní
first_indexed 2025-10-02T01:17:31Z
last_indexed 2025-10-02T01:17:31Z
_version_ 1851765288567046144