Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors.
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |