Buchumschlag

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями

A method of dynamic deformations has been proposed as a useful informative tool in the characterization of transportation properties of a two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN/GaN heterostructures. It is found that the exposing of a sample to ultrasonic vibrations results in the persistent ac...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2021
Hauptverfasser:	Kaliuzhnyi, V.V., Liubchenko, O.I., Tymochko, M.D., Olikh, Y.M., Kladko, V.P., Belyaev, A.E.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2021
Schlagworte:	електронний транспорт гетероструктура двовимiрний електронний газ (2DEG) нiтрид галiю ультразвук
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021137
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
von: Belyaev, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Міжвідомчі інформаційно-телекомунікаційні системи, як результат реалізації цільових програм щодо обміну інформаційними ресурсами між державними органами
von: Алексеєв, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Формування електролюмiнесценцiї в системi електрод–молекула–електрод
von: Leonov, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Мас-спектрометрія молекули PTCDA електронним ударом в газовій фазі
von: Zavilopulo, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Про електричний струм при нульовій температурі через атомний ланцюжок під дією поля, що змінюється рівномірно: формалізм функцій Гріна
von: Malysheva, L.I.
Veröffentlicht: (2024)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Електрокерування поверхневими плазмонними коливаннями в гомеотропній комірці нематичного рідкого кристала
von: Yakovkin, I.I., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
von: Ismayilova, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2024)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
von: Degoda, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Взаємодія α + t і α + 3He та спектр збуджених станів ядра 6Li
von: Povoroznyk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
von: Olikh, Ya. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe
von: Orlets’kyi, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2021)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
von: O. I. Liubchenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
von: Liubchenko, O.I., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: Orletskyi, I. G., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
von: Zinovchuk, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
von: Yagoub, R., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Ізомеричні відношення 109m,gPd в реакціях (γ, n) та (n, 2n)
von: Palvanov, S., et al.
Veröffentlicht: (2021)

РОЛЬ КОМПЛЕКТІВ ПІДПИСІВ В КВАЛІФІКОВАНІЙ ІНФРАСТРУКТУРІ ВІДКРИТИХ КЛЮЧІВ
von: Мелащенко, Андрей Олегович, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Випадкова послідовна адсорбція дископрямокутників, покритих відштовхуючими оболонками
von: Lebovka, N.I., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
von: Litovchenko, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Хартрi–фокiвська задача електронно-дiркової пари в квантовiй ямi GaN
von: Lokot, L. E.
Veröffentlicht: (2018)

Нестійкість трубчастого електронного пучка у разі обдування плазмового твердотільного циліндра, який розміщено у сильному поздовжньому магнітному полі
von: Averkov, Yu.O., et al.
Veröffentlicht: (2022)