Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
A method of dynamic deformations has been proposed as a useful informative tool in the characterization of transportation properties of a two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN/GaN heterostructures. It is found that the exposing of a sample to ultrasonic vibrations results in the persistent ac...
Saved in:
| Date: | 2021 |
|---|---|
| Main Authors: | Kaliuzhnyi, V.V., Liubchenko, O.I., Tymochko, M.D., Olikh, Y.M., Kladko, V.P., Belyaev, A.E. |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021137 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021)
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021)
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021)
Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
by: Belyaev, A. E., et al.
Published: (2018)
by: Belyaev, A. E., et al.
Published: (2018)
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
by: Ya. M. Olikh, et al.
Published: (2021)
by: Ya. M. Olikh, et al.
Published: (2021)
Міжвідомчі інформаційно-телекомунікаційні системи, як результат реалізації цільових програм щодо обміну інформаційними ресурсами між державними органами
by: Алексеєв, В.А., et al.
Published: (2009)
by: Алексеєв, В.А., et al.
Published: (2009)
Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
by: Zinovchuk, A.V., et al.
Published: (2025)
by: Zinovchuk, A.V., et al.
Published: (2025)
Формування електролюмiнесценцiї в системi електрод–молекула–електрод
by: Leonov, V. O., et al.
Published: (2018)
by: Leonov, V. O., et al.
Published: (2018)
Мас-спектрометрія молекули PTCDA електронним ударом в газовій фазі
by: Zavilopulo, A., et al.
Published: (2019)
by: Zavilopulo, A., et al.
Published: (2019)
Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
by: Naumov, A.V., et al.
Published: (2021)
by: Naumov, A.V., et al.
Published: (2021)
Про електричний струм при нульовій температурі через атомний ланцюжок під дією поля, що змінюється рівномірно: формалізм функцій Гріна
by: Malysheva, L.I.
Published: (2024)
by: Malysheva, L.I.
Published: (2024)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
by: A. G. Golenkov, et al.
Published: (2015)
by: A. G. Golenkov, et al.
Published: (2015)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
by: Golenkov, A.G., et al.
Published: (2015)
by: Golenkov, A.G., et al.
Published: (2015)
Електрокерування поверхневими плазмонними коливаннями в гомеотропній комірці нематичного рідкого кристала
by: Yakovkin, I.I., et al.
Published: (2024)
by: Yakovkin, I.I., et al.
Published: (2024)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
by: M. Bataev, et al.
Published: (2011)
by: M. Bataev, et al.
Published: (2011)
Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
by: Ismayilova, N.A., et al.
Published: (2024)
by: Ismayilova, N.A., et al.
Published: (2024)
The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
by: Berrah, S., et al.
Published: (2008)
by: Berrah, S., et al.
Published: (2008)
Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
by: Bletskan, D.I., et al.
Published: (2003)
by: Bletskan, D.I., et al.
Published: (2003)
Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe
by: Degoda, V. Ya., et al.
Published: (2019)
by: Degoda, V. Ya., et al.
Published: (2019)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
by: A. V. Naumov, et al.
Published: (2015)
by: A. V. Naumov, et al.
Published: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
by: Naumov, A.V., et al.
Published: (2015)
by: Naumov, A.V., et al.
Published: (2015)
Взаємодія α + t і α + 3He та спектр збуджених станів ядра 6Li
by: Povoroznyk, O.M., et al.
Published: (2025)
by: Povoroznyk, O.M., et al.
Published: (2025)
Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
by: Olikh, Ya. M., et al.
Published: (2019)
by: Olikh, Ya. M., et al.
Published: (2019)
Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
by: Батаев, М., et al.
Published: (2011)
by: Батаев, М., et al.
Published: (2011)
Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe
by: Orlets’kyi, I.G., et al.
Published: (2021)
by: Orlets’kyi, I.G., et al.
Published: (2021)
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
by: O. I. Liubchenko, et al.
Published: (2019)
by: O. I. Liubchenko, et al.
Published: (2019)
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
by: Liubchenko, O.I., et al.
Published: (2019)
by: Liubchenko, O.I., et al.
Published: (2019)
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
by: V. R. Stempitskij, et al.
Published: (2017)
by: V. R. Stempitskij, et al.
Published: (2017)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
by: V. P. Kladko, et al.
Published: (2014)
by: V. P. Kladko, et al.
Published: (2014)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
by: Kladko, V.P., et al.
Published: (2014)
by: Kladko, V.P., et al.
Published: (2014)
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
by: Orletskyi, I. G., et al.
Published: (2019)
by: Orletskyi, I. G., et al.
Published: (2019)
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
by: Zinovchuk, A. V., et al.
Published: (2020)
by: Zinovchuk, A. V., et al.
Published: (2020)
Дослідження фаз ScN при високому тиску з перших принципів
by: Yagoub, R., et al.
Published: (2021)
by: Yagoub, R., et al.
Published: (2021)
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
by: Stempitsky, V. R., et al.
Published: (2017)
by: Stempitsky, V. R., et al.
Published: (2017)
Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
by: Стемпицкий, В.Р., et al.
Published: (2017)
by: Стемпицкий, В.Р., et al.
Published: (2017)
Ізомеричні відношення 109m,gPd в реакціях (γ, n) та (n, 2n)
by: Palvanov, S., et al.
Published: (2021)
by: Palvanov, S., et al.
Published: (2021)
РОЛЬ КОМПЛЕКТІВ ПІДПИСІВ В КВАЛІФІКОВАНІЙ ІНФРАСТРУКТУРІ ВІДКРИТИХ КЛЮЧІВ
by: Мелащенко, Андрей Олегович, et al.
Published: (2010)
by: Мелащенко, Андрей Олегович, et al.
Published: (2010)
Випадкова послідовна адсорбція дископрямокутників, покритих відштовхуючими оболонками
by: Lebovka, N.I., et al.
Published: (2024)
by: Lebovka, N.I., et al.
Published: (2024)
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
by: Litovchenko, N. M., et al.
Published: (2018)
by: Litovchenko, N. M., et al.
Published: (2018)
Хартрi–фокiвська задача електронно-дiркової пари в квантовiй ямi GaN
by: Lokot, L. E.
Published: (2018)
by: Lokot, L. E.
Published: (2018)
Нестійкість трубчастого електронного пучка у разі обдування плазмового твердотільного циліндра, який розміщено у сильному поздовжньому магнітному полі
by: Averkov, Yu.O., et al.
Published: (2022)
by: Averkov, Yu.O., et al.
Published: (2022)
Similar Items
-
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021) -
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
by: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Published: (2021) -
Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
by: Belyaev, A. E., et al.
Published: (2018) -
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
by: Ya. M. Olikh, et al.
Published: (2021) -
Міжвідомчі інформаційно-телекомунікаційні системи, як результат реалізації цільових програм щодо обміну інформаційними ресурсами між державними органами
by: Алексеєв, В.А., et al.
Published: (2009)