2025-02-23T09:09:58-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2021152%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:09:58-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2021152%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:09:58-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T09:09:58-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
Germanium (Ge) nanoclusters are grown by the molecular-beam epitaxy technique on a chemically oxidized Si(100) surface at 700 ºC. X-ray diffraction and photocurrent spectroscopy demonstrate that the nanoclusters have the local structure of body-centered-tetragonal Ge, which exhibits an optical adsor...
Saved in:
Main Authors: | , , , , , , , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Ukrainian English |
Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
Subjects: | |
Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
ujp2-article-2021152 |
---|---|
record_format |
ojs |
spelling |
ujp2-article-20211522021-12-03T15:48:27Z Morphology and Optical Properties of Tetragonal Ge Nanoclusters Grown on Chemically Oxidized Si(100) Surfaces Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) Lysenko, V.S. Kondratenko, S.V. Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Kladko, V.P. Gomeniuk, Yu.V. Gudymenko, O.Y. Melnichuk, Ye.Ye. Grenet, G. Blanchard, N.B. - - Germanium (Ge) nanoclusters are grown by the molecular-beam epitaxy technique on a chemically oxidized Si(100) surface at 700 ºC. X-ray diffraction and photocurrent spectroscopy demonstrate that the nanoclusters have the local structure of body-centered-tetragonal Ge, which exhibits an optical adsorptionedge at 0.48 eV at 50 K. Deposition of silicon on the surface with Ge nanoclusters leads to the surface reconstruction and the formation of a polycrystalline diamond-like Si coverage, while the nanoclusters core becomes a tetragonal SiGe alloy. The intrinsic absorption edge is shifted to 0.73 eV due to the Si–Ge intermixing. Possible mechanisms for nanoclusters growth are discussed. Розглянуто нанокластери Ge, вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисленій поверхні Si(001) при температурі 700 ºC. По дифракції рентгенівських променів та спектроскопії фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру із об'ємоцентрованою тетрагональною ґраткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ при 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge приводить до реконструкції поверхні та формуванню полікристалічного покриття із кубічною ґраткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною ґраткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si–Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обґрунтовано можливий механізм росту нанокластерів. Publishing house "Academperiodika" 2021-12-03 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152 10.15407/ujpe57.11.1132 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 11 (2012); 1132 Український фізичний журнал; Том 57 № 11 (2012); 1132 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.11 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152/1841 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152/1842 |
institution |
Ukrainian Journal of Physics |
collection |
OJS |
language |
Ukrainian English |
topic |
- - |
spellingShingle |
- - Lysenko, V.S. Kondratenko, S.V. Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Kladko, V.P. Gomeniuk, Yu.V. Gudymenko, O.Y. Melnichuk, Ye.Ye. Grenet, G. Blanchard, N.B. Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) |
topic_facet |
- - |
format |
Article |
author |
Lysenko, V.S. Kondratenko, S.V. Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Kladko, V.P. Gomeniuk, Yu.V. Gudymenko, O.Y. Melnichuk, Ye.Ye. Grenet, G. Blanchard, N.B. |
author_facet |
Lysenko, V.S. Kondratenko, S.V. Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Kladko, V.P. Gomeniuk, Yu.V. Gudymenko, O.Y. Melnichuk, Ye.Ye. Grenet, G. Blanchard, N.B. |
author_sort |
Lysenko, V.S. |
title |
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) |
title_short |
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) |
title_full |
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) |
title_fullStr |
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) |
title_full_unstemmed |
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) |
title_sort |
морфологія та оптичні властивості нанокластерів ge на окисленій поверхні si(001) |
title_alt |
Morphology and Optical Properties of Tetragonal Ge Nanoclusters Grown on Chemically Oxidized Si(100) Surfaces |
description |
Germanium (Ge) nanoclusters are grown by the molecular-beam epitaxy technique on a chemically oxidized Si(100) surface at 700 ºC. X-ray diffraction and photocurrent spectroscopy demonstrate that the nanoclusters have the local structure of body-centered-tetragonal Ge, which exhibits an optical adsorptionedge at 0.48 eV at 50 K. Deposition of silicon on the surface with Ge nanoclusters leads to the surface reconstruction and the formation of a polycrystalline diamond-like Si coverage, while the nanoclusters core becomes a tetragonal SiGe alloy. The intrinsic absorption edge is shifted to 0.73 eV due to the Si–Ge intermixing. Possible mechanisms for nanoclusters growth are discussed. |
publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
publishDate |
2021 |
url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152 |
work_keys_str_mv |
AT lysenkovs morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT kondratenkosv morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT kozyrevyun morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT rubezhanskamyu morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT kladkovp morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT gomeniukyuv morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT gudymenkooy morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT melnichukyeye morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT grenetg morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT blanchardnb morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces AT lysenkovs morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT kondratenkosv morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT kozyrevyun morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT rubezhanskamyu morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT kladkovp morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT gomeniukyuv morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT gudymenkooy morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT melnichukyeye morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT grenetg morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 AT blanchardnb morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001 |
first_indexed |
2023-03-24T08:59:22Z |
last_indexed |
2023-03-24T08:59:22Z |
_version_ |
1795757722712408064 |