Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)

Germanium (Ge) nanoclusters are grown by the molecular-beam epitaxy technique on a chemically oxidized Si(100) surface at 700 ºC. X-ray diffraction and photocurrent spectroscopy demonstrate that the nanoclusters have the local structure of body-centered-tetragonal Ge, which exhibits an optical adsor...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2021
Автори: Lysenko, V.S., Kondratenko, S.V., Kozyrev, Yu.N., Rubezhanska, M.Yu., Kladko, V.P., Gomeniuk, Yu.V., Gudymenko, O.Y., Melnichuk, Ye.Ye., Grenet, G., Blanchard, N.B.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2021
Теми:
-
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2021152
record_format ojs
spelling ujp2-article-20211522021-12-03T15:48:27Z Morphology and Optical Properties of Tetragonal Ge Nanoclusters Grown on Chemically Oxidized Si(100) Surfaces Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) Lysenko, V.S. Kondratenko, S.V. Kozyrev, Yu.N. Rubezhanska, M.Yu. Kladko, V.P. Gomeniuk, Yu.V. Gudymenko, O.Y. Melnichuk, Ye.Ye. Grenet, G. Blanchard, N.B. - - Germanium (Ge) nanoclusters are grown by the molecular-beam epitaxy technique on a chemically oxidized Si(100) surface at 700 ºC. X-ray diffraction and photocurrent spectroscopy demonstrate that the nanoclusters have the local structure of body-centered-tetragonal Ge, which exhibits an optical adsorptionedge at 0.48 eV at 50 K. Deposition of silicon on the surface with Ge nanoclusters leads to the surface reconstruction and the formation of a polycrystalline diamond-like Si coverage, while the nanoclusters core becomes a tetragonal SiGe alloy. The intrinsic absorption edge is shifted to 0.73 eV due to the Si–Ge intermixing. Possible mechanisms for nanoclusters growth are discussed. Розглянуто нанокластери Ge, вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисленій поверхні Si(001) при температурі 700 ºC. По дифракції рентгенівських променів та спектроскопії фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру із об'ємоцентрованою тетрагональною ґраткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ при 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge приводить до реконструкції поверхні та формуванню полікристалічного покриття із кубічною ґраткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною ґраткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si–Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обґрунтовано можливий механізм росту нанокластерів. Publishing house "Academperiodika" 2021-12-03 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152 10.15407/ujpe57.11.1132 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 11 (2012); 1132 Український фізичний журнал; Том 57 № 11 (2012); 1132 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.11 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152/1841 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152/1842
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language Ukrainian
English
topic -
-
spellingShingle -
-
Lysenko, V.S.
Kondratenko, S.V.
Kozyrev, Yu.N.
Rubezhanska, M.Yu.
Kladko, V.P.
Gomeniuk, Yu.V.
Gudymenko, O.Y.
Melnichuk, Ye.Ye.
Grenet, G.
Blanchard, N.B.
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
topic_facet -
-
format Article
author Lysenko, V.S.
Kondratenko, S.V.
Kozyrev, Yu.N.
Rubezhanska, M.Yu.
Kladko, V.P.
Gomeniuk, Yu.V.
Gudymenko, O.Y.
Melnichuk, Ye.Ye.
Grenet, G.
Blanchard, N.B.
author_facet Lysenko, V.S.
Kondratenko, S.V.
Kozyrev, Yu.N.
Rubezhanska, M.Yu.
Kladko, V.P.
Gomeniuk, Yu.V.
Gudymenko, O.Y.
Melnichuk, Ye.Ye.
Grenet, G.
Blanchard, N.B.
author_sort Lysenko, V.S.
title Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
title_short Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
title_full Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
title_fullStr Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
title_full_unstemmed Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
title_sort морфологія та оптичні властивості нанокластерів ge на окисленій поверхні si(001)
title_alt Morphology and Optical Properties of Tetragonal Ge Nanoclusters Grown on Chemically Oxidized Si(100) Surfaces
description Germanium (Ge) nanoclusters are grown by the molecular-beam epitaxy technique on a chemically oxidized Si(100) surface at 700 ºC. X-ray diffraction and photocurrent spectroscopy demonstrate that the nanoclusters have the local structure of body-centered-tetragonal Ge, which exhibits an optical adsorptionedge at 0.48 eV at 50 K. Deposition of silicon on the surface with Ge nanoclusters leads to the surface reconstruction and the formation of a polycrystalline diamond-like Si coverage, while the nanoclusters core becomes a tetragonal SiGe alloy. The intrinsic absorption edge is shifted to 0.73 eV due to the Si–Ge intermixing. Possible mechanisms for nanoclusters growth are discussed.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2021
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152
work_keys_str_mv AT lysenkovs morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT kondratenkosv morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT kozyrevyun morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT rubezhanskamyu morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT kladkovp morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT gomeniukyuv morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT gudymenkooy morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT melnichukyeye morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT grenetg morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT blanchardnb morphologyandopticalpropertiesoftetragonalgenanoclustersgrownonchemicallyoxidizedsi100surfaces
AT lysenkovs morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT kondratenkosv morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT kozyrevyun morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT rubezhanskamyu morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT kladkovp morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT gomeniukyuv morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT gudymenkooy morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT melnichukyeye morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT grenetg morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
AT blanchardnb morfologíâtaoptičnívlastivostínanoklasterívgenaokisleníjpoverhnísi001
first_indexed 2023-03-24T08:59:22Z
last_indexed 2023-03-24T08:59:22Z
_version_ 1795757722712408064

Схожі ресурси