Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні
Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентраці...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch Englisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131394070282240 |
|---|---|
| author | Kras’ko, M.M. |
| author_facet | Kras’ko, M.M. |
| author_sort | Kras’ko, M.M. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2021-12-03T15:48:27Z |
| description | Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що із збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя(kτ) зменшується у низькоомному і збільшується у високоомному n-Sі. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VО і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VО, а також поперечні перерізи захоплення дірок одно- і двозарядними акцепторними станами SnV. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe57.11.1162 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:17:34Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2021157 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:17:34Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20211572021-12-03T15:48:27Z Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні Influence of Tin Impurity on Recombination Characteristics in γ-Irradiated n-Si Kras’ko, M.M. - - Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що із збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя(kτ) зменшується у низькоомному і збільшується у високоомному n-Sі. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VО і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VО, а також поперечні перерізи захоплення дірок одно- і двозарядними акцепторними станами SnV. The influence of the isovalent tin impurity on the lifetime of nonequilibrium charge carriers in Cz $n$-Si irradiated with γ-quanta from 60Со has been studied experimentally and analyzed. The behavior of the lifetime in γ-irradiated tin-doped n-Si was shown to be governed by the initial concentration of free electrons, n0. The lifetime degradation factor kτ is demonstrated to decrease in the low-resistance and to increase in the high-resistance n-Si samples, as the tin concentration in them grows. This fact can be explained by a competition of the main recombination centers in n-Si with Sn-complexes VO and SnV. The ratio between the reaction constants for the formation of VO and SnV defects is determined, as well as the cross-sections of hole capture by single- and double-charged acceptor states of SnV. Publishing house "Academperiodika" 2021-12-03 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157 10.15407/ujpe57.11.1162 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 11 (2012); 1162 Український фізичний журнал; Том 57 № 11 (2012); 1162 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.11 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157/1848 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157/1849 |
| spellingShingle | - Kras’ko, M.M. Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title | Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_alt | Influence of Tin Impurity on Recombination Characteristics in γ-Irradiated n-Si |
| title_full | Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_fullStr | Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_full_unstemmed | Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_short | Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_sort | вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157 |
| work_keys_str_mv | AT kraskomm vplivdomíškiolovanarekombínacíjníharakteristikinkremníûprigopromínenní AT kraskomm influenceoftinimpurityonrecombinationcharacteristicsingirradiatednsi |