Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні
Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентраці...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021157 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20211572021-12-03T15:48:27Z Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні Influence of Tin Impurity on Recombination Characteristics in γ-Irradiated n-Si Kras’ko, M.M. - - Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що із збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя(kτ) зменшується у низькоомному і збільшується у високоомному n-Sі. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VО і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VО, а також поперечні перерізи захоплення дірок одно- і двозарядними акцепторними станами SnV. The influence of the isovalent tin impurity on the lifetime of nonequilibrium charge carriers in Cz $n$-Si irradiated with γ-quanta from 60Со has been studied experimentally and analyzed. The behavior of the lifetime in γ-irradiated tin-doped n-Si was shown to be governed by the initial concentration of free electrons, n0. The lifetime degradation factor kτ is demonstrated to decrease in the low-resistance and to increase in the high-resistance n-Si samples, as the tin concentration in them grows. This fact can be explained by a competition of the main recombination centers in n-Si with Sn-complexes VO and SnV. The ratio between the reaction constants for the formation of VO and SnV defects is determined, as well as the cross-sections of hole capture by single- and double-charged acceptor states of SnV. Publishing house "Academperiodika" 2021-12-03 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157 10.15407/ujpe57.11.1162 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 11 (2012); 1162 Український фізичний журнал; Том 57 № 11 (2012); 1162 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.11 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157/1848 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157/1849 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Kras’ko, M.M. Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Kras’ko, M.M. |
| author_facet |
Kras’ko, M.M. |
| author_sort |
Kras’ko, M.M. |
| title |
Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_short |
Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_full |
Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_fullStr |
Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_full_unstemmed |
Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_sort |
вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні |
| title_alt |
Influence of Tin Impurity on Recombination Characteristics in γ-Irradiated n-Si |
| description |
Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що із збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя(kτ) зменшується у низькоомному і збільшується у високоомному n-Sі. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VО і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VО, а також поперечні перерізи захоплення дірок одно- і двозарядними акцепторними станами SnV. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2021 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157 |
| work_keys_str_mv |
AT kraskomm vplivdomíškiolovanarekombínacíjníharakteristikinkremníûprigopromínenní AT kraskomm influenceoftinimpurityonrecombinationcharacteristicsingirradiatednsi |
| first_indexed |
2023-03-24T08:59:23Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:59:23Z |
| _version_ |
1795757723140227072 |