Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щ...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch Englisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021174 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131396271243264 |
|---|---|
| author | Myronchuk, G.L. Davyduk, G.E. Parasiuk, O.V. Shevchuk, M.V. Jakymchuk, O.V. Danyl'chuk, S.P. |
| author_facet | Myronchuk, G.L. Davyduk, G.E. Parasiuk, O.V. Shevchuk, M.V. Jakymchuk, O.V. Danyl'chuk, S.P. |
| author_sort | Myronchuk, G.L. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2021-12-06T12:56:18Z |
| description | Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe57.10.1050 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:17:36Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2021174 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:17:36Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20211742021-12-06T12:56:18Z Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 Electrical and Optical Properties of AgGaGe2S2Se4 Single Crystals Myronchuk, G.L. Davyduk, G.E. Parasiuk, O.V. Shevchuk, M.V. Jakymchuk, O.V. Danyl'chuk, S.P. - - Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати. Single crystals of the solid solution 50 mol.% AgGaGeS4 + 50 mol.% AgGaGe3Se8 are studied. Due to a statistical distribution of Ga and Ge atoms over the relevant crystal lattice sites and the presence of vacancies at Ag sites, the solid solution exhibits properties of disordered semiconductors with the maximum density of localized energy states near the middle of the energy gap. The optical and thermal bandgap energies, as well as their temperature dependences, have been determined Eg ≈ 2.30 eV at T ≈ 300 K). AgGaGe2Se4 single crystals are found to be photosensitive p-type semiconductors with the Fermi level locating near the middle of the bandgap. The peculiarities in the conductivity of the samples and the spectral distribution of their photoconductivityhave been examined. A consistent physical model that explains the experimental results has been suggested. Publishing house "Academperiodika" 2021-12-05 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021174 10.15407/ujpe57.10.1050 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 10 (2012); 1050 Український фізичний журнал; Том 57 № 10 (2012); 1050 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.10 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021174/1879 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021174/1880 |
| spellingShingle | - Myronchuk, G.L. Davyduk, G.E. Parasiuk, O.V. Shevchuk, M.V. Jakymchuk, O.V. Danyl'chuk, S.P. Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 |
| title | Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 |
| title_alt | Electrical and Optical Properties of AgGaGe2S2Se4 Single Crystals |
| title_full | Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 |
| title_fullStr | Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 |
| title_full_unstemmed | Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 |
| title_short | Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 |
| title_sort | електричні і оптичні властивості монокристалів aggage2s2se4 |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021174 |
| work_keys_str_mv | AT myronchukgl električnííoptičnívlastivostímonokristalívaggage2s2se4 AT davydukge električnííoptičnívlastivostímonokristalívaggage2s2se4 AT parasiukov električnííoptičnívlastivostímonokristalívaggage2s2se4 AT shevchukmv električnííoptičnívlastivostímonokristalívaggage2s2se4 AT jakymchukov električnííoptičnívlastivostímonokristalívaggage2s2se4 AT danylchuksp električnííoptičnívlastivostímonokristalívaggage2s2se4 AT myronchukgl electricalandopticalpropertiesofaggage2s2se4singlecrystals AT davydukge electricalandopticalpropertiesofaggage2s2se4singlecrystals AT parasiukov electricalandopticalpropertiesofaggage2s2se4singlecrystals AT shevchukmv electricalandopticalpropertiesofaggage2s2se4singlecrystals AT jakymchukov electricalandopticalpropertiesofaggage2s2se4singlecrystals AT danylchuksp electricalandopticalpropertiesofaggage2s2se4singlecrystals |