Моделювання зміни мікроструктури опромінюваних систем методом фазового поля кристалa
Проведено дослідження зміни мікроструктури систем, підданих дії балістичного потоку, що описує формування структурного безладу при опроміненні із використанням методу фазового поля кристала. Виявлено, що внаслідок конкуренції регулярної та стохастичної компонент балістичного потоку в системі можливе...
Збережено в:
Дата: | 2021 |
---|---|
Автори: | Kharchenko, D.O., Kharchenko, V.O., Kokhan, S.V., Lysenko, I.O. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021177 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Ефекти електроміграції при епітаксіальному рості тонких плівок: моделювання методом фазового поля
за авторством: Dvornichenko, A.V.
Опубліковано: (2021) -
Universality and self-similar behaviour of non-equilibrium systems with non-Fickian diffusion
за авторством: Kharchenko, D.O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Фізична кінетика перерозподілу точкових дефектів у опромінюваних кристалах
за авторством: Олійник, О.В., та інші
Опубліковано: (2012) -
Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering
за авторством: Kharchenko, V.O., та інші
Опубліковано: (2011) -
Ab-initio calculations for the structural properties of Zr-Nb alloys
за авторством: Kharchenko, V.O., та інші
Опубліковано: (2013)