Мотт–габбардівська локалізація в моделі електронної підсистеми легованого фулериду
A microscopical model of doped fulleride electronic subsystem taking the triple orbital degeneracy of energy states into account is considered within the configurational-operator approach. Using the Green function method, the energy spectrum at the integer band filling n = 1 corresponding to AC60 co...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | Dovhopyaty, Yu., Didukh, L., Kramar , O., Skorenkyy, Yu., Drohobitskyy, Yu. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021188 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Mott−Hubbard lacalization in a model of the electronic subsystem of doped fullerides
за авторством: Yu. Dovhopyaty, та інші
Опубліковано: (2012) -
Mott−Hubbard lacalization in a model of the electronic subsystem of doped fullerides
за авторством: Yu. Dovhopyaty, та інші
Опубліковано: (2012) -
До статистичного опису електродифузійних процесів електронної підсистеми напівобмеженого металу в узагальненій моделі “желе”
за авторством: Kostrobij, P.P., та інші
Опубліковано: (2022) -
Magnetic field dependence of conductivity and effective mass of carriers in a model of Mott-Hubbard material
за авторством: Didukh, L., та інші
Опубліковано: (2005) -
Energy spectrum of a doubly orbitally degenerate model with non-equivalent subbands
за авторством: Didukh, L., та інші
Опубліковано: (2001)