Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням
Експериментально досліджено здатність монокристалів селеніду цинку забезпечити роботу напівпровідникового детектора в режимі прямого перетворення енергії йонізуючого випромінювання на електричний сигнал. Встановлено, що для зразка ZnSe n-типу (Ed = 0,26 еВ) з питомим опором ρ ~ 109 Ом · см за кімнат...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021189 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021189 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20211892022-01-12T14:22:23Z Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням Anomalous Conductivity in ZnSe Single Crystals by X-ray Irradiation Degoda, V.Ya. Vesna, V.T. Kozhushko, B.V. Podust, G.P. - - Експериментально досліджено здатність монокристалів селеніду цинку забезпечити роботу напівпровідникового детектора в режимі прямого перетворення енергії йонізуючого випромінювання на електричний сигнал. Встановлено, що для зразка ZnSe n-типу (Ed = 0,26 еВ) з питомим опором ρ ~ 109 Ом · см за кімнатної температури спостерігається зменшення провідності під дією рентґенівського опромінення, на відміну від високоомних монокристалів з ρ > 1012 Ом · см. Виявлено, що вольт-амперна характеристика (ВАХ) таких зразків для темнової провідності вища за ВАХ рентґенопровідності, при цьому форми цих кривих помітно відрізняються. Очевидно, що характер рентґенопровідності ZnSe, за якої генеруються вільні носії обох знаків, суттєво відрізняється від характеру темнової провідності, коли в зразку є лише вільні електрони. Відповідно, для струму рентґенопровідності одержано спадаючу люкс-амперну характеристику (ЛАХ). Досі згадок про таку нетипову поведінку зазначених вище фізичних величин і характеристик у науково-технічній літературі не було. Це аномальне явище може бути зумовлене неоднорідноюперезарядкою глибоких центрів біля електричних контактів і, відповідно, появою об’ємних зарядів, які зменшують рентґенопровідність монокристалічного ZnSe. We study experimentally the ability of ZnSe to be detectors in the mode of direct conversion of the ionizing radiation energy in that of an electric signal. We have established that, for a monocrystalline ZnSe-sample of the n-type (Ed = 0.26 eV) with the specific resistance ρ ~ 109 Ohm · cm at room temperature, a reduction of the conductivity under the action of X-ray radiation is observed, unlike the high-resistance single crystals with ρ > 1012 Ohm · cm. We have discovered that the current-voltage characteristic (CVC) of such samples for the dark conductivity lies over the CVC with the X-ray conductivity, and the shapes of these CVC curves differ significantly. Obviously, the character of the X-ray-induced conductivity of ZnSe, under which free carriers of both signs are generated, differs substantially from that of the dark conductivity, when a sample contains only free electrons. Respectively, we have obtained a decreasing lux-ampere characteristic (LAC) for the X-ray-induced conductivity current. Till now, the scientific and technical literature sources containedno indications of such nontypical behavior of the mentioned physical quantities and characteristics. We assume that such anomalous phenomenon can be caused by the heterogeneous recharge of deep centers near electric contacts and, therefore, by the appearance of volume charges reducing the X-ray conductivity of monocrystalline ZnSe. Publishing house "Academperiodika" 2012-09-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021189 10.15407/ujpe57.9.929 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 9 (2012); 929 Український фізичний журнал; Том 57 № 9 (2012); 929 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.9 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021189/1898 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021189/1899 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Degoda, V.Ya. Vesna, V.T. Kozhushko, B.V. Podust, G.P. Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Degoda, V.Ya. Vesna, V.T. Kozhushko, B.V. Podust, G.P. |
| author_facet |
Degoda, V.Ya. Vesna, V.T. Kozhushko, B.V. Podust, G.P. |
| author_sort |
Degoda, V.Ya. |
| title |
Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням |
| title_short |
Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням |
| title_full |
Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням |
| title_fullStr |
Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням |
| title_full_unstemmed |
Аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням |
| title_sort |
аномальна провідність у монокристалах селеніду цинку під рентґенівським опроміненням |
| title_alt |
Anomalous Conductivity in ZnSe Single Crystals by X-ray Irradiation |
| description |
Експериментально досліджено здатність монокристалів селеніду цинку забезпечити роботу напівпровідникового детектора в режимі прямого перетворення енергії йонізуючого випромінювання на електричний сигнал. Встановлено, що для зразка ZnSe n-типу (Ed = 0,26 еВ) з питомим опором ρ ~ 109 Ом · см за кімнатної температури спостерігається зменшення провідності під дією рентґенівського опромінення, на відміну від високоомних монокристалів з ρ > 1012 Ом · см. Виявлено, що вольт-амперна характеристика (ВАХ) таких зразків для темнової провідності вища за ВАХ рентґенопровідності, при цьому форми цих кривих помітно відрізняються. Очевидно, що характер рентґенопровідності ZnSe, за якої генеруються вільні носії обох знаків, суттєво відрізняється від характеру темнової провідності, коли в зразку є лише вільні електрони. Відповідно, для струму рентґенопровідності одержано спадаючу люкс-амперну характеристику (ЛАХ). Досі згадок про таку нетипову поведінку зазначених вище фізичних величин і характеристик у науково-технічній літературі не було. Це аномальне явище може бути зумовлене неоднорідноюперезарядкою глибоких центрів біля електричних контактів і, відповідно, появою об’ємних зарядів, які зменшують рентґенопровідність монокристалічного ZnSe. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021189 |
| work_keys_str_mv |
AT degodavya anomalʹnaprovídnístʹumonokristalahseleníducinkupídrentgenívsʹkimopromínennâm AT vesnavt anomalʹnaprovídnístʹumonokristalahseleníducinkupídrentgenívsʹkimopromínennâm AT kozhushkobv anomalʹnaprovídnístʹumonokristalahseleníducinkupídrentgenívsʹkimopromínennâm AT podustgp anomalʹnaprovídnístʹumonokristalahseleníducinkupídrentgenívsʹkimopromínennâm AT degodavya anomalousconductivityinznsesinglecrystalsbyxrayirradiation AT vesnavt anomalousconductivityinznsesinglecrystalsbyxrayirradiation AT kozhushkobv anomalousconductivityinznsesinglecrystalsbyxrayirradiation AT podustgp anomalousconductivityinznsesinglecrystalsbyxrayirradiation |
| first_indexed |
2023-03-24T08:59:27Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:59:27Z |
| _version_ |
1795757725279322112 |